Властивості p-n переходів

1.Без прикладення зовнішньої напруги

На межі p-n переходу за рахунок різної концентрації дірки з НП p-типу починають проникати в НП n-типу і навпаки електрони з НП n-типу починають проникати НП p-типу. В результаті по обидва боки цієї межі утворюються шари бідні на основні носії при цьому частина з них рекомбінувала. В результаті утворився об’ємний просторовий заряд, який зумовлений станами домішок, який перешкоджає подальшому проникненню дірок з НП p-типу в НП n-типу і електронів з НП n-типу в НП p-типу. Якщо там будуть не основні носії то це поле буде для них прискорююче. Провідність цього шару буде дуже мала, такий шар називається подвійним шаром, потенційним бар’єром, запірним шаром.

Значення потенціалу цього шару різне для різних типів НП. Для G≈0.3-0.4 В, для Si φ≈0.5-0.7 В