Схема включения транзистора

Применение МДП транзисторов

Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором (флеш-память)

Рисунок Упрощенная структура ячейки флеш-памяти.

Слои полупроводника, обозначенные через n+, имеют повышенную концентрацию атомов-доноров. Изоляция затворов для упрощения рисунка не показана. Структура ячейки в некотором отношении подобна структуре МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа.

Один из затворов называют плавающим, так как он гальванически не связан с электродами прибора и его потенциал изменяется в зависимости от заряда на нем («плавающий» потенциал).

При записи информации в ячейку памяти электроны из истокатуннелируют через тонкий слой изолирующего окисла кремния (толщиной около м)