Подложка образует с истоком, стоком и каналом p-n переход.

МДП транзистор с индуцированным (наведенным) каналом.

Канал может иметь проводимость как р-типа, так и n-типа

Рисунок Схематическое изображение структуры транзистора с каналом p-типа

Рисунок Условное графическое изображение транзистора с каналом p-типа

При нулевом напряжении канал отсутствует и ток стока равен нулю. Транзистор может работать только в режиме обогащения, которому соответствует отрицательное напряжение . При этом .

Если выполняется неравенство , где -пороговое напряжение, то между истоком и стоком возникает канал p-типа, по которому может протекать ток. Канал p-возникает из-за того, что концентрация дырок под затвором увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, в результате чего концентрация дырок оказывается больше концетрации электронов. Это явление изменения типа проводимости называют инверсией типа проводимости, а слой полупроводника в котором он имеет место – инверсным. Непосредственно под инверсным слоем образуется слой, обедненный подвижными носителями заряда. Инверсный слой значительно тоньше обедненного, а толщина обедненного слоя больше в 10 и более раз.