МДП транзисторы характеризуются очень большим входным сопротивлением.

МДП транзисторы делят на два типа:

1. Со встроенным (собственным) каналом (транзистор обедненного типа) – до подачи напряжения на затвор имеется канал, соединяющий исток и сток

2. Транзистор с индуцированным каналом (транзистор обогащенного типа) – канал между истоком и стоком отсутствует.

МДП транзистор со встроенным каналом

Канал может иметь проводимость как р-типа, так и n-типа

Рисунок Схематическое изображение структуры транзистора с каналом p-типа

Рисунок Условное графическое изображение транзистора с каналом p-типа

Данный транзистор может работать в двух режимах: обеднение и обогащение.

Режиму обеднения соответствует положительное напряжение . При увеличении этого напряжения концентрация дырок в канале уменьшается, что приводит к уменьшения тока стока.

Режиму обеднения соответствует отрицательное напряжение . При этом чем больше модуль указанного напряжения, тем больше проводимость канала и тем больше ток стока.

Если напряжение больше напряжения отсечки, то есть если , то канал отсутствует и ток между истоком и стоком равен нулю.

Схема включения транзистора:

Рисунок Схема включения транзистора

На ток стока влияет не только напряжение , но и напряжение между подложкой и истоком . Однако управление по затвору всегда предпочтительнее, так как при этом входные токи намного меньше. Кроме того наличие напряжения на подложке уменьшает крутизну.