Биполярные транзисторы. Биполярные транзистор - полупроводниковый прибор с двумя или более взаимодействующими р - n переходами и с двумя или более выводами

Биполярные транзистор - полупроводниковый прибор с двумя или более взаимодействующими р - n переходами и с двумя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основных носителей зарядов.

Условное обозначение:

Для эффекта транзистора ширина должна быть меньше длины свободного пробега носителей.

Е_Э - снижает высоту потенциального барьера перехода 1 (эмиттерного).

Под действием диффузии дырки смещаются к базе, часть их добегает и до коллектора.

Е_К - создает электрическое поле в переходе 2.

Это поле подхватывает дырки, переносит их в область коллектора. Ток коллектора возрастает.

I_К = I_К0 + a I_Э ,

где a - доля носителей, перешедших эмиттерный переход и достигших коллекторного перехода (a < 1). Нужно стремиться, чтобы a ® 1, a » 0,99.

Введение носителей в область, где они являются не основными при пониженной высоте потенциального барьера называется инжекцией или эмиссией.

Коллектор собирает эти носители:

S_К > S_Э

(если наоборот, то a < 0,99 )

По I закону Кирхгофа имеем:

I_Э = I_К + I_Б

I_К = I_К0 + a I_Э

I_Б = I_Э - I_К

Схема включения биполярного транзистора:

Существует 3 схемы включения транзистора:

1. с общей базой

2. с общим эмиттером

3. с общим коллектором (только при работе транзистора с переменным сигналом)