Импульсные диоды. До t1 - процесс установления прямого сопротивления диода.

R_{д. обр} << R_н

I_д » U_вх / R_н

До t₁ - процесс установления прямого сопротивления диода.

t₁ ¸ t₂ - период установления прямого сопротивления.

t₃ ¸ t₄ - период разряда диффузионной емкости.

С t₄ - происходит заряд барьерной емкости, рекомбинация оставшихся неосновных носителей в p, n областях.

¯ t_уст , t_вост - тем лучше диод.

Это делается посредством уменьшения площади поперечного сечения диода, следовательно, уменьшения проводимости p - n перехода.

Импульсные диоды работают с малыми токами.