Электронно-дырочный переход. На границе возникает диффузия дырок из p-области в n-область и электронов из n в p под действием градиента концентрации.

До контакта:

Создаем контакт:

На границе возникает диффузия дырок из p-области в n-область и электронов из n в p под действием градиента концентрации.

¾® I ^p_диф - дырочный диффузи-

онный ток.

¾® I ⁿ_диф - электронный диффузи-

онный ток.

¾ I ^p_др - дырочный дрейфовый

ток.

¾ I ⁿ_др - электронный дрейфовый

ток.

j₀ (Ge) » 0.3¸0.4 В

j₀ (Si) » 0.7¸0.8 В

Приложим внешнее напряжение:

Происходит сужение области объемного заряда под действием внешнего напряжения.

При U = j₀ объемный заряд исчезает.

I ^p_диф и I ⁿ_диф увеличивается:

¾¾¾¾® I ^p_диф

¾¾¾¾® I ⁿ_диф

¾ I ^p_др

¾ I ⁿ_др

I _диф >> I _др и затем I _др ® 0.

При обратной полярности E:

Область объемного заряда увеличивается.

I _диф уменьшается, но при ­U Þ ­I _др. Но область увеличивается, а длина свободного пробега остается постоянной и, следовательно, все меньше носителей в состоянии эту область преодолеть.

Таким образом, I _др останется (приблизительно) на прежнем уровне (не зависит от внешнего напряжения).