Биполярные транзисторы. Контактные площадки делаются больше по площади, что повышает быстродействие.

Контактные площадки делаются больше по площади, что повышает быстродействие.

Требуется 1 дополнительный технологический цикл, стоимость возрастает.

Многоэмиттерные транзисторы:

Условное обозначение:

Транзисторы Шотки:

Условное обозначение:

У В-полярных транзисторов:

b » 200,

f_гр = 500 Мгц,

U _{пробоя К-Э} = 50 В,

Емкость = 5 нФ.

Диоды в составе ИМС:

5 вариантов реализации диодов на основе данных структур:

Полевые транзисторы:

Технология производства схем на основе полевых транзисторов более эффективная.

Если имеем МОБ транзистор, то:

Резисторы:

В качестве сопротивления используют сопротивление одной из областей:

В качестве резистора может быть использован полевой транзистор:

Конденсаторы: