Все элементы из полупроводников в глубине полупроводникового кристалла. Межсоединения - на поверхности кристалла.

Планарная технология - обеспечивает возможность создания сложных полупроводниковых структур в глубине кристалла с выводом электродов на одну поверхность.

Способ получения узора, требуемого технологией путем нанесения фоторезиста, его засветки и вытравливания.

Фоторезист - материал, меняющий свои свойства от воздействия света.

Легирование - внесение примеси в кристалл полупроводника путем диффузии из газообразной среды.

2) Выращивание п/п с примесью P.

3) Засветка фоторезиста через шаблон.

4) Вытравливание.

5) Стравливание окиси.

6) Легирование определенным видом примеси n.

7) Стравливается оставшийся фоторизист.

2 этап:

(окислили)

7 шагов

3 этап:

7 шагов

4 этап:

1. Отверстия под будущие электроды. Окисление.

2. Нанесение слоя фоторезиста.

3. Засветка.

4. Стравливание засвеченного фоторезиста.

5. Стравливание открытого окисла.

6. Стравливание оставшегося фоторезиста.

5 этап:

1. Создается требуемое межсоединение. Вся поверхность пластины покрывается алюминиевой пленкой путем осаждения из газообразной среды.

2. Поверхность покрывается фоторезистом.

3. Фоторезист засвечивается в соответствии с шаблоном.

4. Смывается засеченный фоторезист.

5. Открытая алюминиевая пленка стравливается.

6. Стравливается оставшийся фоторезист.

Проблема изоляции эл-тов в глубине п/п:

1. Изоляция автосмещением

Один из диодов всегда смещен в обратном направлении.

Здесь, за счет больших емкостей снижается быстродействие.

2. На глубине диэлектрические стаканы

Данная технология дороже, чем предыдущая, и имеет меньший процент выхода годности (ПВГ = 5 %)