I. Расчет максимально допустимого среднего прямого тока полупроводникового прибора

Предельный максимально допустимый прямой ток зависит от типа полупроводникового прибора, типа охладителя, системы охлаждения и от схемы преобразователя.

(12.3)

U_(TO) – пороговое напряжение полупроводникового прибора (ПП), В;

К_Ф – коэффициент формы кривой тока диодного (тиристорного) плеча, равный отношению действующего значения тока к среднему, для шести и двенадцати пульсовых преобразователей

r_T – дифференциальное сопротивление полупроводникового прибора, Ом;

T_jm – максимально допустимая температура ПП, ⁰С;

Т_а – температура охлаждающей среды, зависящая от кинематических условий (окружающая среда) и имеет установки преобразователя (для наших условий Т_а=+40⁰С);

R_thja – полное тепловое сопротивление “переход – охлаждающая среда”, зависящее от типа ПП, охладителя и способа охлаждения

R_thja = R_thjc + R_thch + R_thha (12.4)

R_thjc – тепловое сопротивление “переход - корпус”, - ⁰С/ Вт

R_thch – тепловое сопротивление “корпус – поверхность охладителя”, ⁰С/ Вт

R_thha – тепловое сопротивление “поверхность охладителя – охлаждающая среда”, ⁰С/ Вт

II. Расчет допустимого среднего тока перегрузки полупроводника

Средний ток в режиме перегрузки зависит от тех же факторов, что и в режиме номинальной перегрузки. Но этот режим является более тяжелым, так как преобразователь до наступления перегрузки ранее работал под нагрузкой, которую в расчетах принимают номинальной. Поэтому расчетные формулы I_F(OV) более сложные и учитывают все указанные факторы.

III. Определение ударного неповторяющегося прямого тока I_FSM полупроводника

Этот ток задан в справочниках. Ударный ток IFSM зависит от типа ПП, температуры p-n перехода и длительности импульса тока t_i.