Системи позначень напівпровідникових діодів

В позначені є кілька букв і цифр по яких можна визначити матеріал з якого зроблений прилад і приблизно оцінити область його застосування.

1. Цифра, або буква, означає матеріал з якого виготовлений прилад.

Г або 1 – Германій і його сполуки

К або 2 – Кремній, або сполука

А або 3 – Галій і його сполуки

М або 4 – Індій і сполуки

Буква – це загально - промислового застосування, цифра спеціальне застосування

2.Буква

Д – діод випростувальний, імпульсний, або магнітний

Ц – випростувальний стовпчик, або блок – це кілька діодів, з’єднані певною схемою (мостова схема)

С – стабілітрони, стабістори і обмежувачі напруги

Л – випромінюючий діод (світлодіод)

О – оптрони

Н – діодні тиристори

У – тріодний тиристор

3.Найбільш характерний признак (цифра)

Для Д:

1 – випростуюючий діод струмом < 0.3 А

2 – випростуюючий ділд струмом < 0.3 – 10 А

3 – магнітодіод

4 - 9 – імпульсні діоди з різною швидкодією

Для Ц:

1 – Стовпчик І < 0.3 А

2 – стовпчик І < 0.3 А

3 – блок І < 0.3 А

4 – блок 0.3 < I < 10 А

Для С:

1 – 9 – означає напругу стабілізації і розсіювану потужність

Для Н:

1 – діодний тиристор І < 0.3 А

2 – діодний тиристор 0.3 < I < 10 А

Для У:

Тріодні тиристори без можливості закривання по входу.

1 – I < 0.3 А

2 – 0.3 < I < 10 А

7 – І > 10 А

Тріодні тиристори з можливістю закривання по входу

_ ,, _

Симетричні тиристори

_ ,, _

4.Дві, або три цифри – порядковий номер розробки

01 – 99

101 – 990

При цьому можна остаточно знайти довідковий матеріал і дані.

5.Класифікаційна буква (крім тих які схожі на цифри 0, 3, 4, І)

Нею визначають нормування по певному параметру.

Приклади:

КЦ407А – кремнієвий випростувальний блок загального застосування на струм від 0.3 до 10 А. Порядковий номер розробки 07, класифікаційна літера по найвищому параметру А

2Д908Б – кремнієвий імпульсний діод спеціального призначення (9 - швидкодія) порядковий номер розробки 08, класифікаційна літера по найважливішому параметру Б

У світі є три системи

Американська JEDEK – три елементи позначення системи

1.Цифра

1 – діод

2 – транзистор

3 – тиристор

2.Буква N

3. Серійний номер

Приклад: 1N4007

2N5551

Японська система JIS

1.Цифра

0 – фотодіод, фототранзистор

1 – діод

2 – транзистор

3 – тиристор

2.Буква S

3.Буква – тип приладу

4.Цифра, яка визначає реєстраційний номер (як правило реєстраційна цифра)

5.Буква – це різні параметри для одного і того самого приладу.

Переходи метал – напівпровідник (МНП)

В сучасній електроніці широко застосовуються переходи МНП, їх ще називають переходами Шоткі (бар’єром Шоткі).

Процеси в таких переходах залежать від роботи виходу електронів, тобто від енергії, яку має затратити електрон, щоб вийти з НП, або М. Чим менше значення роботи виходу, тим більше електронів може вийти з даного матеріалу.

Якщо А_М < А_НП, то переважає вихід з металу в НП. Для НП n-типу, то в НП буде ще більше основних носіїв.

Шар збагачується основними носіями і його опір малим при будь якій полярності. Такий перехід називається не випрямляючим контактом.

Аналогічно буде якщо А_М > А_НП для НП p-типу – буде більше дірок.

Якщо А_М > А_НП для НП n-типу, то утвориться область збіднення на основі носіїв, електрони з НП підуть в М, утвориться потенціальний бар’єр, висота цього бар’єру буде залежати від прикладеної напруги. Він має властивість проводити струм тільки в одному напрямку, такий бар’єр називають Шоткі.

Його особливість є те що в процесах приймають участь носії тільки одного типу, при цьому відсутні процеси накопичення і розсмоктування неосновних носіїв.

Для них властива висока швидкодія і мале падіння напруги при проходженні прямого струму.

Недоліком є те що U_BR не перевищує 60 В. Вони широко застосовуються в імпульсних схемах.