Биполярный транзистор

Транзистор – это прибор с тремя выходами, который состоит из двух близко расположенных p-n переходов.

Э – эмиттер, Б – база, К – коллектор. n⁺ означает, что концентрация свободных носителей заряда повешенная по сравнению с Б и К.

Принципиальным свойством является то, что слой Б очень тонкий и эти два p-n перехода между собой взаимодействуют. Т.е.

будет работать совсем по-другому.

Толщина Б от 1 до 20 мкм. Диффузионная длина электронов и дырок в п/п L_n,p ~ 10 мкн. ω ~ 10 мкн – это тонкая Б, а 5 < ω ≤ 20 – это толстая Б.

Толщина Б принципиальна по следующим соображениям: электроны, которые по каким-то причинам попали из Э в Б, практически не успевают рекомбинировать и в полном составе попадают в К.

Транзистор pnp типа

Транзисторы npn типа распространены существенно больше. Основными носителями в Э являются электроны, а подвижность электронов больше, чем подвижность дырок в несколько раз. Именно за счет быстродействия они более предпочтительны.

Обозначение:

Транзисторы npn типа обозначаются

Транзисторы pnp типа обозначаются

Стрелочка всегда направлена от дырок к электронам и указывает направление протекающего тока.

К биполярному транзистору некоторым образом можно подключать внешнее напряжение. Здесь могут реализоваться несколько режимов работы.