Режимы работы б/п транзисторов

Каждый из p-n переходов может быть включен как в прямом, так и в обратном направлении.

Если оба перехода подключены в обратном направлении

Это так называемый режим отсечки. В этом случае течет очень маленький ток.

Режим насыщения реализуется, если оба перехода включены в прямом направлении.

В данном случае запирающий слой отсутствует, течет большой ток.

Активный режим (режим усиления).

I_К-Б-0 совсем маленький ток.

Этот режим включения представляет особый интерес.

I_Э – ток Э.U_БЭ–напряжение между Б и Э.

Мизерными изменениями входного сигнала мы добиваемся того, что изменение тока происходит в достаточно большом диапазоне. Это ключевой момент в работе транзистора.

Следующий ключевой момент: Подавляющее число электронов, которые инжектируются в результате подачи этого сигнала на переход Э-Б, не успев рекомбинировать, напрямик попадают в К и образуют коллекторный ток. В Э электроны являются основными носителями. Поскольку слой Б очень тонкий они оказываются вблизи коллекторного перехода. Для Б они являются не основными носителями. Поле запертого перехода оказывается ускоряющим для электронов. Электроны, попав в поле ускоряющего напряжения, начинают образовывать ток.

Схема с общей Б.

R_Н – сопротивление нагрузки (большое). Ток, который протечет через К пройдет через это сопротивление. На этом сопротивлении возникнет падение напряжения. Мы можем померить этот сигнал. С помощью слабого входного сигнала мы добились того, что на сопротивлении выделился большой сигнал, который должен примерно повторять форму входного сигнала. На этом основан принцип усиления сигнала по напряжению.

Электроны текут в одну сторону, ток течет в другую сторону. Электронный ток Э практически полностью попадают в К. Ток К очень близок к току Э, и только небольшая часть тока Э образует ток Б.

– коэффициент передачи эмиттерного тока (есть транзисторы, у которых эти показатели хуже).

Практически весь эмиттерный ток обусловлен инжекцией электронов из Э в Б, и потом в К. Обратный ток дырок из Б практически отсутствует потому, что концентрация примеси разная. Э – сильно легированная часть транзистора, Б – слабо легированная часть транзистора.