Погрешности системы преобразования

Как рассматривалось выше, прибор для измерения неэлектрической величины представляет собой некоторую цепь преобразования, состоящую из нескольких звеньев.

Основная погрешность прибора складывается главным об­разом из:

1) инструментальной погрешности, обусловленной погреш­ностями элементов, входящих в каждое звено (например, по­грешность подгонки сопротивлений, трение в подвижных ча­стях механизма, недостаточная тщательность исполнения деталей звена);

2) погрешности из-за недостаточной чувствительности уси­лителя и индикаторов.

Каждое из звеньев вносит свою долю в результирующую основную погрешность прибора, причем при прямом преобра­зовании все звенья равноправны в отношении степени влияния на общую погрешность.

Поэтому стремятся всегда к уменьшению числа звеньев цепи преобразования.

Точность измерения неэлектрической величины зависит также и от ряда дополнительных факторов, которые так же необ­ходимо учитывать. К ним относятся изменения величины напряжения, частоты и формы кривой напряжения питания, из­менение окружающей температуры, влажности и вибрации. Так, например, при изменении напряжения питания мостовой цепи, содержащей нелинейные элементы (индуктивность с ферромагнитным сердечником), мост выходит из равновесие При изменении окружающей прибор температуры могут, на­пример, измениться упругие свойства механических элементов, магнитные свойства материалов, параметры электрических элементов (сопротивлений, емкостей и т.д.), возникнуть пара­зитные термо-э.д.с.

Влияние дополнительных погрешностей можно оценить чувствительностью каждого звена к тому или иному влияющему фактору, т.е. отношением изменения выходной величины преобразователя данного звена к изменению дополнительного фактора (относительно его значения при градуировке).

Дополнительные факторы вызывают дополнительную со­ставляющую погрешности нуля и чувствительности прибора. Действительно, изменение питающего напряжения вызыва­ет появление погрешности чувствительности во всех мостовых цепях (кроме равновесных мостов). В усилителях изменение питающего напряжения также вызывает некоторое изменение чувствительности.

При изменении температуры изменяются жесткость упру­гих элементов, индукция постоянных магнитов, магнитные свойства ферромагнитных материалов.

Кроме того, погрешность нуля и чувствительности прибора может быть вызвана изменением во времени параметров от­дельных элементов схемы, шумами ламп и сопротивления, на­водками промышленной частоты и т.д.

Для уменьшения дополнительных погрешностей прибе­гают к стабилизации напряжения и частоты источников пита­ния, к различным приемам коррекции этих погрешностей и особенно заботятся о стабильности во времени физических свойств и параметров элементов прибора.

В теории измерений погрешности подразделяются на си­стематические и случайные.

Систематическими погрешностями называются погрешно­сти постоянные или меняющиеся по определенному закону. Эти погрешности имеют достаточно жесткую функциональ­ную связь с вызывающими их источниками, причем и сама функция, и ее аргумент известны. Поэтому такие погрешно­сти могут быть исключены при разработке прибора или учте­ны в процессе обработки результатов измерения.

Случайными погрешностями называются неопределенные по своей величине и природе погрешности, в появлении каж­дой из которых не наблюдается какой-либо закономерности. Такие погрешности обычно учитываются с помощью формул и приемов, выработанных теорией вероятности.

Однако при анализе погрешностей сложных измеритель­ных устройств, состоящих из целого ряда самостоятельных звеньев (а к таким именно устройствам и относятся приборы для измерения неэлектрических величин), не всегда можно строго разграничить погрешности на систематические и случайные. Например, погрешность измерения от колебаний на­пряжения питающей сети с первого взгляда представляется систематической, так как на каждые ±10% питающего на­пряжения прибор может иметь, допустим, ± 1 % изменения чувствительности. Однако мгновенные изменения питающего напряжения сети происходят хаотически и погрешность из­мерения, возникающая из-за этого, хотя и является однознач­ной функцией этого напряжения, но будучи функцией случай­ной величины, представляет собой также случайную вели­чину.

Это сильно затрудняет суммирование погрешностей изме­рительных устройств, поэтому при анализе и выборе метода и суммирования погрешностей сложных измерительных уст­ройств следует делить погрешности не на систематические и случайные, а по признаку их сильной или слабой взаимной корреляционной связи. Если ряд погрешностей одного или нескольких преоб­разователей вызывается одной общей причиной, в результате чего они оказываются сильно связаны между собой, то эти погрешности будут распределены по одному и тому же зако­ну, а форма результирующего закона распределения будет также соответствовать этому закону. Поэтому внутри каждой из этих групп погрешности должны складываться алгебраи­чески с учетом их знака.

Результирующие погрешности, полученные после сумми­рования в каждой из групп, уже не имеют между собой силь­ных корреляционных связей и должны рассматриваться как независимые и, следовательно, должны складываться геомет­рически.

 

Вопросы для самопроверки к главе 3:

1. Перечислите достоинства электрических методов измерения неэлектрических величин.

2. Изобразите графически структурную схему прибора прямого преобразования.

3. Изобразите графически структурную схему прибора уравновешивающего преобразования.

4. Изобразите графически структурную схему прибора с отрицательной обратной связью.

5. Запишите аналитическое выражение для определения чувствительности прибора?

3. Изобразите графически эквивалентную схему измерительной цепи прибора.

4. Запишите аналитическое выражение для определения эффективности преобразования прибора?

5. Дайте определение эффективности преобразования, характеристического сопротивления, обобщенного входного и выходного сопротивления преобразователя?

9. Сформулируйте преимущества равновесных мостовых схем.

10. Сформулируйте основное отличие равновесных мостовых схем от неравновесных.

11. Приведите способы включения преобразователей в мостовые схемы.

12. Основные виды симметрии мостовых схем и условия оптимального выбора параметров.

13. Как осуществляется выбор индикаторов к мостовым и компенсационным схемам?

14. Какие преобразователи относятся к генераторным?

15. Какие преобразователи относятся к параметрическим?

13. Какие погрешности преобразователей в динамическом режиме их работы?

14. Приведите физическую модель измерительного преобразователя.

14. Опишите основные источники погрешности приборов для измерения неэлектрических величин.

15. Как находится общая погрешность системы преобразования?

 

4. Параметрические преобразователи

4. 1. Фотоэлектрические преобразователи

Классификация фотоэлектрических преобразователей и их характеристики

Фотоэлектрическими называются такие преобразователи, у которых величина выходного сигнала изменяется в зависи­мости от величины светового потока, падающего на преобра­зователь.

Явление фотоэффекта было открыто русским ученым А.Г. Столетовым в 1888 г.

Фотоэлектрические преобразователи или, как мы будем их называть в дальнейшем, фотоэлементы делятся на три типа:

а) фотоэлементы с внешним фотоэффектом;

б) вентильные фотоэлементы;

в) фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосо­противления).

Фотоэлементы с внешним фотоэффектом представляют со­бой вакуумную или газонаполненную лампу, катод которой испускает электроны под действием светового потока.

При изменении освещенности фотоэлемента, включенного в электрическую цепь, изменяется соответственно фототок в этой цепи.

К газонаполненным фотоэлементам относятся, например, кислородно-цезиевые типа ЦГ;

к вакуумным — кислородно-цезиевые типа ЦВ и сурьмяно-цезиевые типа СЦВ.

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом представляют собой полупроводники, например, типов ФСД (селенид кад­мия) и ФСК (сернисто-кадмиевые), которые под действием светового потока изменяют свое сопротивление.

Из вентильных фотоэлементов наибольшее распростране­ние получили селеновые и сернисто-серебряные. Эти фотоэле­менты обладают тем свойством, что под действием лучистой энергии они становятся источниками тока. По этому признаку их можно было бы отнести к генераторным преобразовате­лям, однако, чтобы не разбивать группу фотоэлектрических преобразователей, считаем целесообразным рассмотреть и их в данном разделе.

Работу фотоэлементов можно оценить по следующим ха­рактеристикам.

1. Световая характеристика, отображающая зависимость фототока от интенсивности светового потока, падающего на фотоэлемент Iф= f(E).

2.Спектральная характеристика, т. е. зависимость фотото­ка от длины волны световых лучей Iф= f(l).

3.Частотная (инерционная) характеристика, т. е. зависи­мость фототока от частоты изменения интенсивности падаю­щего светового потока Iф= f(fn)

4.Вольтамперная характеристика, т. е. зависимость фото­тока от напряжения Iф= f(U).

5.Температурная характеристика, т. е. изменение фото­тока от температуры фотоэлемента Iф= f(t°). Однако от из­менения температуры зависит и спектральная характеристика фотоэлемента.

3. Усталость фотоэлемента, которая выражается в измене­нии характеристик фотоэлементов в зависимости от времени его работы.

Рассмотрим отдельные типы фотоэлементов с точки зре­ния их характеристик.

Фотоэлементы с внешним фотоэффектом. Эти фотоэлемен­ты, как правило, требуют применения усилителей, так как их мощность очень мала.

Световая и приведенная вольтамперная характеристики фотоэлементов различных типов приведены на рис.4.1 и4.2.

Рис. 4.1. Вольтамперная характеристика газонаполненного фотоэлемента.

Рис 4.2.Вольтамперные характеристики вакуумного фотоэлемента:

а) сурьмяно-цезиевые типа СЦВ, б) кислородно-цезиевые типа ЦГ;

 

Как видно из световых характеристик, пропорциональ­ность между фототоком и световым потоком сохраняется не на всем протяжении кривых (см. утолщенные линии), что важно для получения линейной шкалы изме­рительного прибора.

Вольтамперные характеристики (рис.4.2) имеют харак­тер кривых насыщения, т.е. вначале поток в значительной степени зависит от напряжения питания фотоэлемента, а затем это влияние оказывается весьма незначительным, а это значит, что в данном случае динамическое сопротивление фотоэлемента остается практически неизменным.

В практике большее применение получили вакуумные фо­тоэлементы, имеющие бесспорные преимущества перед газо­наполненными:

1) независимость в определенном диапазоне от питающего напряжения;

2) большая температурная устойчивость;

3) меньшая утомляемость;

4) меньшая инерционность (практически вакуумные фото­элементы считаются без инерционными).

Вентильные фотоэлементы применяются обычно, когда преобразователи работают без дополнительных усилителей на чувствительные приборы. Это объясняется тем, что применение электронных усилителей, требующих для своей работы дополнительного питания, свело бы на нет преимущество вен­тильных фотоэлементов как источников тока. К тому же чувствительность вентильных фотоэлементов во многих прак­тических случаях вполне позволяет обойтись без усиления фототоков.

Наиболее распространенными являются селеновые и сер­нисто-серебряные фотоэлементы. У селеновых фотоэлементов чувствительность составляет примерно 400 - 500 мкА/лм, а у сернисто-серебряных - 7000 мкА/лм. С другой стороны, селе­новые фотоэлементы более стабильны и имеют большой срок службы.

В настоящее время большое распространение получили кремниевые фотоэлементы. Их чувствительность достигает 7000 мкА/лм. Они практически без инерционны (t=10-6с), стабильны и имеют низкий уровень шумов.

Ток на выходе преобразователя с вентильным фотоэлемен­том на линейном участке характеристики (рис. 4.3)

,

где Sф - чувствительность фотоэлементов (с учетом наг­рузки);

Ф - световой поток.

Рис. 4.3. Вольтамперная характеристика кремниевого фотоэлемента

 

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопро­тивления) позволяют реализовать в нагрузке большую мощность, чем вентильные.

Внутренний фотоэффект наиболее сильно выражен у та­ких полупроводников, как селен, сернистый таллий, серни­стый свинец, сульфид кадмия и др.

Из многих типов фотоэлементов в настоящее время основ­ное распространение получили сернисто-кадмиевые фотосо­противления, главным образом, типа ФСК. Эти сопротивле­ния обладают высокой удельной чувствительностью (до 7000 мкА/мкВ), что в некоторых случаях дает возможность обойтись без усилителей, низким температурным коэффициентом , допускают сравнительно большую мощность рассеивания (0,6 - 0,7 Вт), имеют практически неограниченный срок службы и достаточно стабильны. К недо­статкам этих фотоэлементов можно отнести значительную инерционность и сравнительно высокий уровень шумов.

 








Дата добавления: 2016-03-22; просмотров: 1751;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.015 сек.