Методы контроля чистоты поверхности

Основными методами контроля чистоты поверхности являются: методы, основанные на изменении ее смачиваемости, микроскопические, фотометрические и спектральные.

При окунании пластины в деионизованную воду или распылении воды на влажную поверхность пластины на загрязненных участках не образуется равномерного слоя воды. Методы, основанные на изменении смачиваемости, просты, наглядны, но недостаточно чувствительны. Контроль чистоты поверхности можно осуществлять по значению краевого угла смачивания (рис.2.3). Угол должен составлять менее 75⁰.

Рисунок 2.8 – Определение чистоты поверхности

Микроскопические методы основаны на наблюдении поверхности в светлом или темном поле оптического микроскопа, а также с помощью электронного микроскопа. При наблюдении в темном поле используется косое освещение, исключающее попадание в объектив зеркально отраженных от поверхности лучей. В этом случае выявляются остатки органических растворителей, которые образуют характерные узоры. узоры. Загрязнения и дефекты на поверхности полированных пластин наблюдаются в виде светящихся точек. Их подсчет на единице площади пластины ведут при увеличении в 50-400 раз.

Фотометрические, спектральные, а также другие методы контроля- чистоты поверхности полупроводниковых пластин в промышленности широкого распространения не получили.

Системы нагрева в производстве полупроводниковых

Приборов и интегральных микросхем

Требования к системам нагрева

- Отсутствие загрязнений подложек материалом нагревателя;

- минимальная инерция при переходе от одного температурного режима к другому;

-воспроизводимость и точность поддержания температуры по всей длине технологической зоны;

- максимальный срок службы;

- простота обслуживания.

Наиболее распространенными в полупроводниковом производстве видами нагрева являются индукционный, резистивный и лучистый нагрев.