Вакуумно- плазменная очистка

Такая очистка использует ионное, плазмохимическое и ионно-химическое травление поверхности полупроводника ионами, атомами и радикалами инертных и химически активных газов. Разновидности вакуумно-плазменного травления для очистки показаны на рис.2.5.

Рисунок 2.5 – Разновидности вакуумно-плазменного травления для очистки

Для очистки используются диодные и автономные ионные источники.На рис.2.6 представлена установка очистки с автономным источником Кауфмана.

1-вакуумная камера, 2-подложки, 3- нейтрализатор, 4- газоразрядный и/источник, 5-соленоид, 6- натекатель, 7- анод, 8- катод, 9- сетки,

10- подложкодержатель

Рисунок 2.6 – Установка очистки с автономным ионным источником

На рис.2.7 приведена упрощенная схема установки очистки с использованием безэлектродного ВЧ разряда, зажигаемого с применением ВЧ индуктора с частотой 13,56 МГц.

– кварцевый реактор; 2-коллектор для подачи газа; 3 – металлический перфорированный корпус; 4 – подложки; 5 – крышка ;6 – индуктор;

7 – откачной патрубок

Рисунок 2.7 – Установка плазмохимического травления с объемным расположением подложек в реакторе

Преимущества вакуумно–плазменной очистки – универсальность, экологическая чистота. Недостатки – радиационные нарушения приповерхностной области полупроводника.

Газовое травление

Используют в эпитаксиальных установках для очистки подложек. Сущность газового травления заключается в химическом взаимодействии материала подложки при температуре Т=800-1000ºС с газообразными реагентами и образовании при этом легкоудаляемых летучих соединений. Газовым травлением получают более чистые поверхности по сравнению с жидкостным травлением. Реакторы и газовые системы такого оборудования необходимо выполнять из химически стойких и термостойких материалов. Реакторы должны быть герметичными и не иметь застойных зон, т.к. многие газы токсичны и взрывоопасны.