Модель диффузного резистора

а)

б)

в)

Рис. 2.2. Модель диффузного резистора а) конструкция; б) глобальная электрическая модель; в) модель без учета тока подложки

Диффузные резисторы представляют собой резистивные полупроводниковые слои, созданные в кристалле в результате локальной диффузии и изолированные от остального объема кристалла
p-n-переходом. Выводы резистора создаются металлизацией на поверхности структурных областей.

При построении электрической модели диффузного резистора необходимо учитывать, что обратносмещенный р-n-переход обладает током утечки и распределенной емкостью вдоль его длины. Глобальная модель будет представлять собой распределенную цепь, описываемую уравнением в частных производных:

,

с граничными условиями u(z₁,t)=u₁(t), u(z₂,t)=u₂(t), где r₁, C₁, I₁ – удельные на единицу длины сопротивление, емкость и ток утечки диффузного резистора; z₁, z₂ – координаты выводов резистора; u₁, u₂– напряжения на выводах относительно подложки.

Если пренебречь током подложки, то локальная модель такого резистора может быть представлена в виде эквивалентной электрической цепи с сосредоточенными параметрами.