Модель диффузного резистора

а)

б) в)

 

Рис. 2.2. Модель диффузного резистора а) конструкция; б) глобальная электрическая модель; в) модель без учета тока подложки

 

Диффузные резисторы представляют собой резистивные полупроводниковые слои, созданные в кристалле в результате локальной диффузии и изолированные от остального объема кристалла
p-n-переходом. Выводы резистора создаются металлизацией на поверхности структурных областей.

При построении электрической модели диффузного резистора необходимо учитывать, что обратносмещенный р-n-переход обладает током утечки и распределенной емкостью вдоль его длины. Глобальная модель будет представлять собой распределенную цепь, описываемую уравнением в частных производных:

 

,

 

с граничными условиями u(z1,t)=u1(t), u(z2,t)=u2(t), где r1, C1, I1 – удельные на единицу длины сопротивление, емкость и ток утечки диффузного резистора; z1, z2 – координаты выводов резистора; u1, u2– напряжения на выводах относительно подложки.

Если пренебречь током подложки, то локальная модель такого резистора может быть представлена в виде эквивалентной электрической цепи с сосредоточенными параметрами.









Дата добавления: 2015-11-26; просмотров: 1059;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.003 сек.