Определение h-параметров по характеристикам

Низкочастотные значения h-параметров транзистора можно найти с помощью семейств входных и выходных характеристик. Для этого:

1. Отмечают на характеристиках положение рабочей точки по постоянному току, в которой определяются h-параметры.
2. Определяются малые приращения токов и напряжений относительно рабочей точки и рассчитываются h-параметры.

В качестве примера определим значения h_11Э, h_12Э, h_21Э, h_22Э - параметров транзистора в рабочей точке, задаваемой величинами I_Б(0), I_К (0), U_БЭ (0), U_КЭ (0).

Параметры h₂₂ и h₂₁ определяют по выходным характеристикам (рис. 3.34).

.

Условие i_Б=const эквивалентно равенству нулю переменной составляющей I_{Б m}.
По характеристикам определяем

Отметим, что приращения выбираются вдоль характеристики, снятой при i_Б =I_Б (0).
.

При этом:

Параметры h_11Э и h_12Э определяются аналогично по входным характеристикам транзистора (рис. 3.35).

H - параметры широко используются для анализа транзисторных схем в режиме малого сигнала, так как позволяют применять готовые формулы теории линейных четырехполюсников.