Схемы для включения транзистора с ОЭ

Схема на рис. 3.37 может быть использована и при включении транзистора с ОЭ. Для этого ток эмиттера I_Эm надо выразить через ток базы I_Бm. В соответствии со схемой на рис. 3.37 для тока коллектора справедливо , (3.55)

кроме того: I_Эm=I_Бm+I_Кm, тогда

или

(3.56)

где - дифференциальный коэффициент передачи тока для схемы с ОЭ; (соотношение аналогичное ).

Так как , то

(3.57)

Дифференциальный коэффициент передачи тока h_21Э может отличаться от статического b на десятки процентов, но технологический разброс еще больше и в последнее время между ними часто не делают различия, считая h_21Э » b .

- выходное сопротивление транзистора в схеме ОЭ ( в десятки раз меньше, чем r_К в схеме с ОБ.

С учетом выражения (3.56) Т-образная, малосигнальная эквивалентная схема для включения с ОЭ приобретает вид (рис. 3.38). Для схемы с общем эмиттером часто используют и П-образную эквивалентную схему (рис 3.39), получаемую линеаризацией передаточной модели Эберса - Молла.

- статическая крутизна транзистора; остальные элементы соответствуют введенным ранее для Т-образных схем. Резистор, показанный пунктиром, учитывает влияние модуляции ширины базы на дополнительный ток коллекторного перехода. Он имеет порядок r_К и в практических расчетах не учитывается. П-образная схема удобна для расчетов методом узловых потенциалов и используется , например, в компьютерных программах.