Характеристики схемы с ОЭ.
Статической входной характеристикой транзистора в схеме с ОЭ называется зависимость Iб = f (Ur) при UK = const. Напряжение Uб включается на эмиттерный переход в прямом направлении. Величина этого напряжения меняется от нуля до нескольких десятых вольта.
Из графика видно, что при UK = 0 характеристика идет из начала координат, с ростом UK (UK2 > UKl) смещается вправо (в случае схемы с ОБ характеристика смещается влево). Это объясняется тем, что с ростом UK растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении- и ширина запрещенного слоя увеличивается. Увеличивается также I0, имеющий противоположную направленность и результирующий ток базы становится меньше.
Статической выходной характеристикой транзистора в схеме с ОЭ является зависимость IK = f(UK) при Iб = const.
Как видно из данного графика при росте UKэ до некоторого значения IК резко возрастает, а затем характеристика идет с небольшим подъемом, т.к. UK мало влияет на Iк при Iб = const. При Iб = 0 течет ток Iко. Чем больше IК, тем раньше может наступить электрический пробой перехода. Усиление по току в схеме с ОЭ
Эквивалентная схема и параметры транзисторов.
Основное назначение транзисторов - это усиление по I, U, Р изменяющегося во времени входного сигнала, т.е. сигнала переменного тока или напряжения. Для упрощения электрических расчетов в этом случае постоянные составляющие токов и напряжений исключаются из рассмотрения, а транзистор представляется в виде эквивалентной схемы для переменного сигнала.
Усилительные свойства транзистора в эквивалентных схемах учитываются с помощью генератора тока или напряжения. Измеряют параметры транзистора при малых входных и выходных сигналах, т.е. в области линейного участка характеристики ВАХ. В этом случае эквивалентная схема физических параметров транзистора имеет вид:
rэ - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (единицы - десятки Ом)
rб - сопротивление базы переменного тока (несколько сотен Ом)
rк - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (до 100000 Ом).
Эти параметры не зависят от схемы включения транзистора, они определяются конструкцией прибора, но их нельзя непосредственно измерить,
т.к. они находятся внутри транзистора и не поддаются измерению внешними приборами.
В этом случае транзистор рассматривают как активный линейный четырехполюсник, который характеризуется двумя уравнениями для входной и выходной цепей, а взаимосвязь между входной и выходной цепями устанавливается с помощью h - параметров.
Измерение h - параметров производится по соответствующим схемам включения методами вольтметра-амперметра или специальными измерителями или рассчитывается по графикам ВАХ входных и выходных характеристик.
Классификация транзисторов.
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, электрическим параметрам и другим принципам находит свое отражение в системе условных обозначений буквенно-цифрового кода.
1.элемент - обозначает исходный материал
2.элемент - буква, определяющая подкласс транзистора
3.элемент - цифра, определяющая его функциональные возможности
4.элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки
5.элемент - буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторов одного типа
1.элемент Г или 1 - Ge
К или 2 - Si
А или 3 - Ga As
Н или 4 - In
2.элемент Т - биполярный транзистор
П - полевой транзистор
3.элемент 1 - маломощные Рмакс < 0,3 Вт
низкочастотные f < 3 мГц
2- маломощные средней частоты 3 < f < 30 мГц
3- маломощные ВЧ и СВЧ f > 30 мГц
4- средней мощности 0,3 < р < 1,5 НЧ
5- средней мощности средней частоты
6- средней мощности ВЧ и СВЧ
7- большой мощности Р > 1,5 Вт НЧ
8- большой мощности средней частоты
9- большой мощности ВЧ и СВЧ
4.элемент Число от 01 до 999
5.элемент Буквы от А до Я за исключением 3;0;Ч.
Пример ГТ 101 А - германиевый биполярный маломощный НЧ гр. А. В настоящее время можно встретить транзисторы с шестизначным обозначением и более современные с семизначным обозначением. Их классификацию удобно свести в таблицу
Классификация и условные обозначении импортных транзисторов производителей различных стран различны. В случае импортных транзисторов необходимо пользоваться специальными справочниками и каталогами, где приводятся их технические характеристики и отечественные аналоги.
Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 1139;