Статические характеристики транзисторов.

Для трех схем включения транзисторов исследуются статические (на постоянном токе) вольтамперные входные и выходные характеристики, ко­торые имеют различия в зависимости от схемы включения,

1. Статической входной характеристикой транзистора в схеме с об­щей базой является зависимость I_Э = f(U₃) при U_K = const. Эта характеристика подобна ВАХ полупроводникового диода, включенного в прямом направле­нии:

При увеличении Uk величина обратного напряжения, приложенного к переходу Б-К становится больше, соответственно увеличивается толщина пе­рехода и его сопротивление, а параметры перехода Э-Б остаются неизменными, что вызывает перераспределение токов так, что часть тока эмиттера, передававшаяся в коллектор, теперь уходит в базу, вызывая увеличение Iэ_б- Увеличение тока свидетельствует об относительном уменьшении сопротив­ления перехода Э-Б, или точнее, об увеличении его проводимости. Таким об­разом увеличение U_K вызывает увеличение (как бы) проводимости перехода Э-Б, т.е. при U_эб const и увеличении U_K растет I_эб, что эквивалентно сдвигу характеристики влево.

2. Выходной характеристикой транзистора в схеме с общей базой на­зывается зависимость I_K = f(U_K) при I_Э = const.

I_Э4>I_Э1.

При I_Э = 0 возникает I_К0.

Выходные характеристики представляют собой почти прямые линии, идущие с небольшим наклоном, следовательно, увеличение U_kб слабо влияет на I_К и его величина в основном задается I_Э. Это объясняется тем, что дырки (электроны) при протекании эмиттерного тока достигают коллектора в ос­новном за счет диффузии, а ускоряющее поле коллектора мало влияет на ве­личину тока. При этом выходное сопротивление схемы с ОБ очень велико, т.к. коэффициент усиления по току ОБ α = , а так как I_к<I_э, то усиления по току в схеме с ОБ нет.