Основные параметры полевых транзисторов

1. Крутизна характеристики по затвору

S = U_c = const 0,1 ÷ 500мА/В

2. Крутизна характеристики по подложке 0,1-1 ма/В

3. Напряжение отсечки U_{зи отс} = 0,2÷10В

4. Пороговое напряжение U_{зи пор} 1 ÷ 6 В

5. Сопротивление сток - исток в открытом состоянии 2 ÷ 300 Ом.

6. Постоянный ток стока I_{С макс} 10 мА÷ 0,7 мА

7. Начальный ток стока

Для транзисторов с управляющим р - n переходом - 0,2 -÷600mA

Для транзисторов со встроенным каналом -0,1 ÷100мА

Для транзисторов с индуцированным каналом - 0,01 ÷ 0,5мкА

8. Максимальная частота усиления