Принцип усиления.

Рассмотренная схема резисторного каскада и графики изменения то­ков и напряжений показывают, что при подаче сигнала от источника пере­менной ЭДС изменение потенциала базы приводит в соответствие со вход­ной характеристикой биполярного транзистора к изменению тока базы, а увеличение тока базы вызывает на выходной ВАХ транзистора смещение за­висимости тока коллектора от напряжения на коллекторе в сторону больших значений. При этом изменение тока базы на доли мА вызывает изменение то­ка коллектора на десятки миллиампер. Это происходит потому что напряже­ние Uбэ включено в прямом направлении в переходе р - n (э - б) и вызывает уменьшение потенциального барьера перехода база - эмиттер, потому внут­реннее сопротивление транзистора резко падает, а при изменении полярности поступающего на базу напряжения, т.е. плюсом к «n» области базы, оно ока­зывается включенным в обратном направлении, что приводит к увеличению потенциального барьера, внутреннее сопротивление транзистора резко воз­растает, становится много больше сопротивления коллектора и тогда боль­шая часть напряжения источника питания падает на R_K. Таким образом срав­нительно небольшое изменение по напряжению переменного сигнала на базе

(порядка одного или менее вольт) приводит к изменению напряжения на кол­лекторе на 10 или более вольт в зависимости от напряжения питания.

Самостоятельная работа.