Устройство полевого транзистора

Рисунок Схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа.

Условное графическое изображение:

А) Б)

Стрелка указывает направление от слоя p к слою n (как и стрелка в изображении эмиттера биполярного транзистора). В интегральных микросхемах линейные размеры транзистора могут быть меньше 1мкм.

Удельное сопротивление слоя n (затвора) намного меньше слоя p (канала), поэтому область p-n перехода, обедненная подвижными носителями заряда и имеющая очень большое удельное сопротивление, расположена главным образом в слое p.

Если типы проводимости слоев полупроводника в рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа (условное изображение на рисунке б )

Подадим положительное напряжение между затвором и истоком транзистора с каналом p-типа . Оно сместит p-n переход в обратном направлении.

При увеличении обратного напряжения на p-n переходе он расширяется в основном за счет канала. Увеличение ширины p-n перехода уменьшает толщину канала, и следовательно, увеличивает его сопротивление. Это приводит к уменьшению тока между истоком и стоком. Именно это явление позволяет управлять током с помощью напряжения и соответствующему ему электрического поля. Если напряжение истока- достаточно велико и равно напряжению , канал полностью перекрывается областью p-n перехода.

В рабочем (неаварийном) режиме p-n переход должен находится под обратным или нулевым напряжением. Поэтому в рабочем режиме ток затвора равен нулю , а ток стока примерно равен току истока