Схема замещения транзистора активным четырехполюсником

Рис. 5.1– Замена транзистора активным четырехполюсником в схеме с ОБ (а) и в схеме с ОЭ (б)

При изучении входных и выходных характеристик было установлено, что они зависят от схемы включения транзистора, имеют линейные и нелинейные участки, для каждой схемы можно выделить семейство входных и выходных характеристик, и они оказывают влияние друг на друга. Поэтому для определения усилительных свойств транзистора в заданной схеме и расчета схем вводятся “h”-параметры транзистора. Для определения “h”-параметров транзистор заменяется активным четырехполюсником, в котором входные и выходные параметры связаны “h”-параметрами.