Схема с ОБ. Входные и выходные характеристики

Входная и выходная характеристика снимается по схеме (рис. 4.2).

Рис. 4.5 − Входные (а) и выходные (б) статические характеристики транзистора в схеме с ОБ

Входная характеристика повторяет ВАХ диода в проводящем направлении, так как напряжение U_ЭБ приложено к эмиттерному переходу в проводящем направлении.

Характеристика, снятая при U_К = 0 (т.е. при отключенном К₂), называется основной. Если включить К₂ и увеличить напряжение до U_К1, а затем до U_К2, то характеристики смещаются влево, т.е. I_Э нарастает быстрее. Это объясняется тем, что часть напряжения U_К прикладывается к эмиттерному переходу пропорционально в проводящем направлении и тем самым помогает U_ЭБ.

Выходная характеристика повторяет ВАХ диода в непроводящем направлении, так как U_К прикладывается к коллекторному переходу в непроводящем направлении. Характеристика, снятая при I_Э=0, называется основной и снимается по рис. 4.2, а при отключенном ключе К.

С увеличением I_Э1, I_Э2, I_Э3 выходные характеристики перемещаются практически параллельно вверх.

На любой выходной характеристике можно выделить два участка: ОАВ и ВС.

На участке ОАВ напряжение U_ЭБ ≥ U_К, поэтому переход эмиттер – коллектор открытый, и ток I_К =f(U_K) нарастает быстро, повторяя ВАХ диода в проводящем направлении.

Незначительное увеличение тока коллектора I_К на участке ВС объясняется тем, что с увеличением напряжения U_К запирающий слой коллекторного перехода увеличивается, ширина базы сужается, ток базы I_Б уменьшается, следовательно, при I_Э = const ток коллектора растет.

При построении входной и выходной характеристик необходимо помнить, что

U_К ≈ десятки В, I_К ≈ (0,9÷0,99)I_Э.