Схема с ОЭ. Входные и выходные характеристики

Рис. 4.6 − Схема снятия входных и выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ

Для снятия статических характеристик транзистора в схеме с ОЭ собирается схема (рис. 4.6).

Потенциометр П1 служит для регулирования напряжения U_ЭБ, подаваемого на вход транзистора. Потенциометр П2 служит для регулирования напряжения U_К, подаваемого на выход транзистора.

Входная характеристика.

Входная характеристика, снятая при U_К = 0, называется основной и повторяет ВАХ диода в проводящем направлении, так как напряжение U_ЭБ приложено к эмиттерному переходу в проводящем направлении. Снимается при U_К = 0, т.е. при отключенном ключе К2, плавно изменяя U_ЭБ от 0 до максимума и измеряя ток базы I_Б.

Рассмотрим, как влияет U_К на входные характеристики, т.е. при включенном ключе К2 потенциометром П2 задается напряжение U_К. С увеличением напряжения U_К ширина запорного слоя коллекторного перехода увеличивается, область базы сужается и, следовательно, ток базы I_Б уменьшается, поэтому характеристики сдвигаются вправо.

Рис. 4.7 − Входные (а) и выходные (б) статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Выходная характеристика.

Характеристика, снятая при токе I_Б = 0, называется основной и повторяет ВАХ диода в непроводящем направлении, так как напряжение Е_К (U_К) прикладывается к коллекторному переходу в непроводящем направлении.

С увеличением тока базы I_Б характеристики перемещаются параллельно вверх.

На выходных характеристиках можно выделить два участка: ОАВ и ВС.

На участке ОАВ U_ЭБ > U_К, поэтому оба перехода (эмиттерный и коллекторный) работают в проводящем направлении, и выходная характеристика повторяет форму входной характеристики в другом масштабе.

На участке ВС U_ЭБ < U_К, коллекторный переход закрывается, и выходная характеристика повторяет ВАХ диода в непроводящем направлении. Некоторое увеличение тока коллектора I_К на участке ВС при I_Б=const объясняется тем, что при сужении базы большая часть тока попадает в коллектор.