Полевые транзисторы с изолированным затвором. В транзисторе с изолированным затвором затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика

В транзисторе с изолированным затвором затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика. Иначе эти приборы называют МДП-транзисторы (металл, диэлектрик, полупроводник). МДП-транзисторы выполняются из кремния. В качестве диэлектрика используют оксид кремния, отсюда и другое название – МОП-транзисторы (металл, оксид, полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает высокое входное напряжение (10¹²¸10¹⁴ Ом).

Принцип действия МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токоведущим каналом.

Рис. 6.35. Схема включения МДП-транзистора со встроенным каналом

В исходной пластине чистого или слаболегированного кремния (p-типа), называемого подложкой, созданы области стока, канала и истока n-типа. Четвертый электрод, подложка, в большинстве схем соединяют с истоком (рис. 6.35). Подача управляющего напряжения U_зи на затвор транзистора, за счет создаваемого электрического поля в структуре транзистора, осуществляется управлением величины тока I_с.