Характеристики

Изолированный затвор позволяет работать в области положительных значение напряжений затвор-исток. На рис. 6.36 показаны три семейства выходных характеристик.

Рис. 6.36. Стоковые (выходные) характеристики МДП-транзисторов

со встроенным каналом

Первое семейство – U_зи = 0. Ток I_с определяется исходной проводимостью канала. При малых значениях напряжения U_си они не влияют на ток I_с, так как по мере приближения к стоку, потенциал возрастает и увеличивается запорный слой (модуляция). При увеличении значений напряжения U_си канал сужается, ток уменьшается, в точке б канал сужается до минимума.

Второе семейство – U_зи < 0. Поле выталкивает электроны, что приводит к уменьшению концентрации их в канале, снижая его проводимость – это режим обеднения канала.

Третье семейство – U_зи > 0. Поле притягивает электроны из p-области, увеличивается концентрация их и повышается проводимость канала – это режим обогащения канала носителями.

Рис. 6.37. Стоко-затворная (передаточная) характеристика МДП-транзисторов со встроенным каналом

Меняя полярность и значение напряжения ²затвор-исток², можно изменить проводимость канала и, следовательно, ток I_с, при неизменном значении напряжения ²сток-исток². В отличие от полевых транзисторов с управляемым p-n-переходом, при этом изменяется не площадь сечения канала, а концентрация основных носителей заряда.