Классификация и система обозначений транзисторов

Выпускаемые промышленностью транзисторы классифицируют по мощности и частоте. В настоящее время используют транзисторы как со старой маркировкой, так и с новой.

Старая маркировка содержит три элемента:

1 элемент – буква П (плоскостной транзистор ) или МП (модернизированный плоскостной);

2 элемент – порядковый номер разработки транзистора, характеризующий его полупроводниковый материал, мощность рассеяния (малая – до 0,25 Вт и большая – более 0,25 Вт) и частотные свойства ( низкочастотные – до 5 МГц и высокочастотные – свыше 5 МГц);

3 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (коэффициент передачи тока базы b и др.). Например, транзистор П5А является германиевым низкочастотным малой мощности, а П302Б – кремниевым низкочастотным большой мощности.

Новая система маркировки содержит четыре элемента:

1 элемент – буква, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор (Г – германиевый, К – кремниевый, А – арсенид галлия);

2 элемент – буква Т (транзистор);

3 элемент – порядковый номер разработки прибора, характеризующий его мощность рассеяния и частотные свойства;

4 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (допустимые ток и напряжение).

Номера разработки транзисторов при таком обозначении указаны в табл. 6.2.

Таблица 6.2

Порядковые номера разработки транзисторов, характеризующие материал и мощность рассеяния

Таблица 6.3

Порядковые номера разработки транзисторов, характеризующие мощность рассеяния и частотные свойства

В соответствие с табл. 6.3: КТ805А – транзистор кремниевый большой мощность, предназначен для работы с частотой до 30 МГц; ГТ150Б – транзистор германиевый низкочастотный малой мощности.