Силовые транзисторные модули

Дляуправления силовыми транзисторами требуются значительные токи управления, что не всегда можно реализовать в схемах. Для снижения тока управления (тока базы) используется составной транзистор, который собирается из двух отдельных транзисторов, либо две транзисторные структуры устанавливаются в общий корпус. Такой прибор называется транзисторным модулем.

Рис. 6.27. Схема силового транзисторного модуля

При открытии первого транзистора VT1 током его базы I_Б1 через его коллекторную цепь протекает ток базы второго транзистора VT2, при этом I_К1=I_Б2. Ток базы первого транзистора является током управления такого модуля, меньше тока базы второго транзистора (I_Б1<I_Б2). Резисторы R₁ и R₂ обеспечивают отрицательное смещение на базах транзисторов и их полное запирание при отсутствии положительных сигналов на базах. Диод VD исключает подачу на базу первого транзистора отрицательного сигнала из внешней цепи. Структуры транзисторов смонтированы в корпусе электрически изолированно от общего основания, что позволяет несколько модулей устанавливать на общий радиатор, не зависимо от схемы их соединения.