Силовые транзисторные модули
Дляуправления силовыми транзисторами требуются значительные токи управления, что не всегда можно реализовать в схемах. Для снижения тока управления (тока базы) используется составной транзистор, который собирается из двух отдельных транзисторов, либо две транзисторные структуры устанавливаются в общий корпус. Такой прибор называется транзисторным модулем.
Рис. 6.27. Схема силового транзисторного модуля
При открытии первого транзистора VT1 током его базы IБ1 через его коллекторную цепь протекает ток базы второго транзистора VT2, при этом IК1=IБ2. Ток базы первого транзистора является током управления такого модуля, меньше тока базы второго транзистора (IБ1<IБ2). Резисторы R1 и R2 обеспечивают отрицательное смещение на базах транзисторов и их полное запирание при отсутствии положительных сигналов на базах. Диод VD исключает подачу на базу первого транзистора отрицательного сигнала из внешней цепи. Структуры транзисторов смонтированы в корпусе электрически изолированно от общего основания, что позволяет несколько модулей устанавливать на общий радиатор, не зависимо от схемы их соединения.
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 1347;