Схемы замещения транзистора. Определение параметров
Для оценки параметров транзисторов принято пользоваться схемами замещения. Каждому элементу эквивалентной схемы можно придать определенный физический смысл.
В схеме замещения применены следующие параметры:
1. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, включенного в примом направлении (от единиц до десятков Ом)
rэ = dUэ / dIэ при Uкб = const.
Это объемное сопротивление низкоомное, в схеме замещения часто не учитывается.
а) б)
Рис. 30. Схема замещения транзистора: а- физические параметры;
б - схема замещения при включении с общим эмиттером
2. Объемное сопротивление базы rб > rэ (от 100 до 400 Ом).
3. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (включенного в обратном направлении):
rк(э) = {1 / (1 + b)} { dUкб / dIк } , при Iб = const.
Определяется изменением тока коллектора при изменении напряжения на коллекторном переходе. Учитывает эффект модуляции базы,
rк(э) = {1 / (1 + b)} × (0,5 - 1,0 Мом)
4. Емкость коллекторного перехода С кэ(э) равна сумме зарядной и диффузионной емкостей. Величина зависит от типа транзистора, составляет десятки пикофарад. Влияет на работу, особенно в области высоких частот. Емкость эмиттерного перехода не учитывается, поскольку она шунтирована малым сопротивлением rэ.
5. Граничная частота fb = fa / (1 +b ).fa- граничная частота в схеме ОБ, при которой aснижается в раз.
Частотные свойства схемы ОЭ хуже, чем схемы ОБ.
Достоинством физических параметров транзистора является то, что они не зависят от схемы включения. Недостаток - некоторые из них невозможно измерить. Поэтому на практике часто пользуются вторичными параметрами, характеризующими транзистор как активный четырехполюсник. Наибольшее распространение получила система h-параметров, которая предполагает малые приращения сигналов. В этом случае процессы можно описать системой уравнений
DU1 = h11 Di1 + h12 DU2
Di2 = h21 Di1 + h22 DU2
Из этой системы уравнений получаем:
1. h11= DU1/Di1при DU2=0,входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе.
2.h12=DU1/ DU2 при Di1 = 0, коэффициент обратной связи , показывающий, какая часть напряжения передается с выхода транзистора на вход при неизменном входном токе.
|
при постоянном напряжении на выходе. Для схемы ОЭ h 21 = b.
4.h22 =Di2/DU2 при Di1 = 0, выходная проводимость транзистора при постоянном входном токе.
h - параметры связаны с физическими параметрами и позволяют их определить. Для схемы ОЭ получим::
rэ = h12 / h22 ; rб = h11 - h12 ( 1 + h21) / h22 ; rк = (1 + h21) / h22; b = h21
Для разных схем включения h -параметры различны. Поэтому иногда их снабжают индексами:hб - для схемы с ОБ, hэ - для схемы с ОЭ.
Дата добавления: 2015-07-30; просмотров: 1637;