Организация памяти

Чтобы построить память большого объе­ма, требуется такой способ ее организации, при котором можно обращаться к от­дельным словам памяти. Пример такой организации памяти, показан на рис. 3,28.

Эта память содержит четыре 3-разрядных слова. Каждая операция считывает или записывает целое 3-разрядное слово.

Хотя об­щий объем памяти (12 бит) не намного больше, чем у 8-разрядного триггера, такая память требует меньшего количества выводов и, что особенно важно, подоб­ная организация применима для построения памяти большого объема.

Рассмотренная организация памяти может показаться сложной, на самом деле она очень проста благодаря своей регуляр­ной структуре.

Микросхема содержит 8 входных линий, в частности

· 3 входа для данных — I₁, I₂, I₃,

· 2 входа для адресов — Ао и А₁;

· 3 входа для управления — CS (Chip Select — выбор элемента памяти), RD (ReaD — чтение, этот сигнал позво­ляет отличать считывание от записи) и ОЕ (Output Enable — разрешение выдачи выходных сигналов),

· а также 3 выходные линии для данных — О₁,O₂ и О₃.

Та­кую память можно поместить в корпус с 14 выводами (включая пи­тание и землю), а 8-битный регистр требует наличия 20 выводов.

Чтобы выбрать микросхему памяти, внешняя логика должна установить сиг­нал CS в 1, а также установить сигнал RD в 1 для чтения и в 0 для записи.

Две адресные линии должны указывать, какое из четырех 3-разрядных слов нужно считывать или записывать.

При считывании входные линии для данных не ис­пользуются. Выбирается слово и помещается на выходные линии для данных.

При записи биты, находящиеся на входных линиях для данных, загружаются в выбранное слово памяти, выходные линии при этом не используются.