Схема зміщення біполярного транзистора на низьких частотах і розрахунок її параметрів

В режимі мікрострумів вхідний І_С≈100 мкА вхідний опір зростає від 2 до 10 разів порівняно з розрахунковим.

R_вх = r_B + (r_e + R_e)(h_11e + 1)

Якщо вмикають R_e без С то є зворотній зв'язок по І

r_B = 100 Ом r_e = 20 Ом R_E1 = 0 Ом

h_21e = 100 R_E2 = 300 Ом

R_вх1 = 2120 Ом

R_вх2 = 32420 Ом

Аналогічно одержують вирази для коефіцієнтів підсилення по напрузі, струму та вихідного опору.

Схема підсилювача зі спільним колектором (емітерний повторювач)

Коефіцієнт підсилення по напрузі близький 1. Схема має високий вхідний опір і малий вихідний. Схема охоплена 100% від’ємним зворотнім зв’язком по постійному і змінному струму. Її застосовують для узгодження.

r_e = 20 Ом П_з = 200 Ом

R_g = 1000 Ом h_21e = 100

Rвих = 23 Ом

Складений транзистор (схема Дарвінгтона)

Для підвищення кута підсилення два транзистори вмикають один за одним

Транзистор VT2 є більшої потужності. Схема застосовується в диференційних каскадах, які є основою операційних підсилювачів в потужних ключах.

І_с = І_с1 + І_с2 = β₁·І_В1 + β₂·І_В2 = β₁·І_В1 + β₂·(І_с1 + І_В1) = І_В1·(β₁ + β₂)+β₂·β₁·І_В1 =

= І_В1·(β₁ + β₂ + β₁·β₂) ≈ β₁·β₂·І_В1

β_заг = β₁ + β₂ + β₁·β₂ ≈ β₁·β₂ = (10²÷10⁶)

АНАЛОГОВІ МІКРОСХЕМИ (АМ)

АМ – застосовують для обробки та перетворення сигналів, що змінюються за законами неперервних функцій.