БИЛЕТ № 5 4,35

1. Стабилитроны, параметры. Вольтамперная характеристика, линия нагрузки; схема включения.

Стабилитроны – п/п диоды, напряжение на которых в обл. пробоя (при обр. смещении) слабо зависит от тока, и который предназнач. для стабилизации напр. Механизм пробоя:

- туннельный (низковольтный) до 6В; - лавинный (высоковольтные) после 8В; - от 6 до 8В – смешанные.

Темп.коэф. напр. при туннельном (-), при лавинном (+).

ВАХ:

Осн.параметры: U стабилизации, определяемое при заданном токе; U_{стаб max} – max ток стабилизации; U_{стаб min} – min ток стабилизации, пробой приобретает устойчивый хар-р; R_СТАБ=dU_СТ/I_СТ;

Стаб.могут исп-ся как имп.обращённые диоды с большим быстродействием, работающий с малыми напр-ми.

Схема включения стаб-нов:

E=(i_а+i_н)R+U_СТ;

Микроэлектроника. Основные понятия. Классификация изделий микроэлектроники. Полупроводниковые, пленочные, гибридные и совмещенные ИС.

Основные задачи , особенности:

Создание микро, миниатюрной аппаратуры с высокой надёжностью и высокопроизводимостью, низкой стоимостью, низким электро потреблением и высокой функциональной сложностью.

Интегральные Схемы(ИС):

Микроэлектронное изделие , выполняющие определённую функцию преобразования, передачи , обработки и хранения сигнала, которые с точки зрения требований к испытаниям , приёму, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое ,с высокой плотностью упаковки элементов или компонентов .

Элемент И.С.- часть И.С., реализирующая функцию какого-либо электро-радио элемента (транзистор , диод и т.д.), который нельзя отделитьот кристалла и который нельзя рассматривать как самостоятельное изделие .

Компонент- часть И.С. реализующая функцию какого электро-радио элемента , который может быть выделен как самостоятельное изделие . Могут быть простые (диоды, резисторы , конденсаторы ) и сложные (диодные сборки и т.д.).

Критерий сложности И.С.характеризуется степенью интеграции К=lgN, где N-количество элементов , К-целое число.

К<=2 –интегральные схемы (И.С.)

2<K<=3 средние интегральные схемы (С.И.С)

3<K<=5 большие интегральные схемы (Б.И.С)

K>5 Сверх большие интегральные схемы (С.Б.И.С)

K>6Ультрабольшие интегральные схемы (У.Б.И.С.)

Важным свойством И.С. является плотность упаковки это количество элементов на единицу площади.

По функциональному значению И.С. делятся на : 1)Цифровые 2) Аналоговые.

По типу применяемых активных элементов на И.С.:

На биполярных структурах и на МОП структурах, и на БИМОП структурах.

По конструктивно технологическому признаку :

Полупроводниковые И.С , Пленочные И.С., Гибридные И.С., Совмещенные И.С.

Полупроводниковые И.С.Все элементы (транзисторы, диоды, резисторы) и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности монокристаллов (активная подложка)

Пленочные И.С.:все элементы выполнены в виде пленок нанесенных на поверхность диэлектрической подложки (пассивная подложка). По плёночной технологии изготавливают только пассивные И.С. В зависимости от толщины пленки различают : тонкопленочные и толстопленочные

В гибридных И.С.:используется комбинация пленочных пассивных и п/п активных эленентов, расположенные на общей диэлектрической подложке.В качестве активных электронов используются навесные дискретные компаненты(бескорпусные транзисторы) выполнено отдельно отосновного технологического цикла создание плночных структут,соединенных соответствий выводами на подлжке с помощью жестких проводов.

Всовмесных И.С.: АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ВЫПОЛНЯЮТСЯ В ПРИПОВЕРХНОСНОМ СЛОЕ П/П(как в п/п И.С.)а пассивные элементы затем наносятся в виде пленокна предварительно изолированную поверхностьтого же кристалла(как у пленок ИС)

Во всех типах ИС межсоединение элементов осуществляется с помощью тонких полосок,напыленных на поверхность подложки в местах соединений с элементами.Процесс соединения полосок наз. Металлизацией,а сам рис. Межсоединений металлической разводкой

3. Каким образом производится считывание информации в приборах на основе ЦМД?

Каким образом производится считывание информации в приборах на основе ЦМД?

Цилиндрические магнитные домены, "магнитные пузырьки", изолированные однородно намагниченные подвижные области ферро- или ферримагнетика (домены), имеющие форму круговых цилиндров и направление намагниченности, противоположное направлению намагниченности остальной его части.

Для считывания информации в запоминающих устройствах на Ц. м. д. используют детекторы, работающие на магниторезистивном эффекте ( - изменение электрического сопротивления твёрдого проводника под действием внешнего магнитного поля.). Магниторезистивный детектор Ц. м. д. представляет собой аппликацию специальной формы из проводящего материала (например, пермаллоя), сопротивление которого зависит от действующего на него магнитного поля. Проходя детектор, Ц. м. д. своим полем изменяют его сопротивление, что можно зарегистрировать по изменению падения напряжения на детекторе. Запоминающие устройства на Ц. м. д. обладают высокой надёжностью и низкой стоимостью хранения единицы информации. Применение Ц. м. д. — один из возможных путей развития ЭВМ.