Определим параметры. 1.Коэф-т усил-я по U КU = Uвых m/ Uвх m

1.Коэф-т усил-я по U К_U = Uвых m/ Uвх m

Uвых m с учетом принятых направлений тока: Uвых m= - Iкm*Rк=( Iкm=β*Iбm, β =α/(1- α))= - α/(1- α)* Iбm* Rк

Uвх m= Iбm*(Rг + rб)+ Iэm*(rэ+Rэ)

К_{U= -}α Rк/((Rг + rб)(1- α)+ rэ+Rэ)

Т.к. α стремится к 1, то (1-α) стремится к 0

Им пренебрегаем.

Rэ >>rэ тоже пренебрегаем.

К_{U= -}α Rк/Rэ

Rэ является термостабилизирующим.

При увеличении Т увеличится тепловой ток I₀ и соответственно смещаются характеристики, =>увеличивается Iэ. Этот ток создает падение U на Э, т.о., что оно препятствует(уменьшает) величину Uэб, тем самым компенсирует смещение характеристик, т.е.существует обратная связь. Rэ служит для осуществления обратной связи. Обратная связь оказывает термостабилизирующее действие.

Из К_{U= -}α Rк/Rэ следует:

1.в схеме с ОЭ сдвиг напряжений вх. и вых. по фазе на 180⁰

2.за улучшение Т-й стабильности приходится расплачиваться коэффициентом усиления, т.е. чем больше Rэ, тем больше Т-я стабильность, но тем меньше коэффициент усиления.

Для более точной работы эмиттерного повторителя вставляются источник тока.

3. Что такое эпитаксия?

Эпитаксия - это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой, т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий.

Подложка - основной материал, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.