Технология изготовления активных элементов полупроводниковых интегральных схем. Интегральные биполярные транзисторы п-р-п и р-п-р типа.

Основным активным элементом

полупроводниковых интегральных схем является n-p-n-транзистор, под него подстраивается вся технология.

n⁺-слой введён для улучшения сопротивления области конденсатора. Без него ток течёт, значит в исходную р-пластину вводятся р⁺ слой, затем n эпитаксиальный слой, потом акцепторы, или создаём изолированные карманы и область р-базы. Затем донорная примесь-эмиттер. Ток течёт через область с низким сопротивлением®потери уменьшаются.

Характерной особенностью интегрального n-p-n тр-ся является появление в его структуре паразитного p-n-p транзистора, этот транзистор увеличивает ёмкость коллекторного перехода и увеличивает токи утечки через подложку.

Коэффициент утечки-низкий.

В случае изоляции диэлектрическими плёнками паразитный транзистор отсутствует.

3. Транзистор п-р-п типа в схеме с общей базой, работает в инверсном включении. Показать направления токов и указать полярности питающих напряжений.

Транзистор п-р-п типа в схеме с общей базой, работает в инверсном включении. Показать направления токов и указать полярности питающих напряжений.

Инверсный активный режим-эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.