Рассмотрим на биполярном транзисторе с общим эмитором.

Управление таким ключом осуществляется за счет входного напряжения. Если входное напряжение равно нулю, то ток базы тоже равен нулю, тогда режим работы определяется точкой В - точкой нагрузкой прямой с выходной характеристикой Iб=0. Точка В - соответствует отсечке транзистора. В этом случае выходной ток очень мал, а выходное напряжение большое чуть меньше Е_К.

Если подадим Uвх большой соответствующий Iб.нас , то транзистор находится в режиме насыщения (точка А), ток большой, а выходной сигнал Uкэ.нас мал и почти равен 0.

При работе транзистора в ключевом режиме рабочая точка перемещается от области отсечки до области насыщения. Находится либо в области отсечки, либо в области насыщения. В активном режиме существует кратковременно.

Из анализа схемы следует: если на входе высокий потенциал, то на выходе малый (и наоборот).

То есть ключевая схема выполняет роль инвертора, независимо от того каким способом закодированы 0 и 1, то есть реализуем функцию логического отрицания как в позитивной так и в негативной логике.

3. Сравните МДП-транзисторы и полевые транзисторы с управляющим переходом.

Сравните МДП-транзисторы и полевые транзисторы с управляющим переходом.

Вот это писать--àПолевой транзистор с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n переходом, смещённым в обратном направлении.

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП) — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Отличия - Длина канала мдп меньше чем пт уп следоват-но быстродействие мдп выше. Вх сопротивление мдп выше ПT уп имеет более высокую стабильность и малый уровень шумов т к канал отделен от пов-ти обедненным слоем на границе отсутствуют дефекты крист решетки загрязнения, все то что у мдп вызывает шумы