БИЛЕТ № 7 7,31

1. Туннельные диоды. Энергетические диаграммы. ВАХ, участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Параметры, применение.

Туннельные диоды – п/п диод на основе вырожденного п/п, в котором тун.эф. приводит к появлению участка с отриц.диф. проводимостью на его основе ВАХ.

Энергетические диаграммы:

В отличии от обычных исп-ют проводники с очень высокой конц.примесей. Осн.параметры помимо других: I_П – пиковый ток, max ток при dI/dU=0; I_В – ток впадины, mix ток при dI/dU=0; отношение I_П/I_В; напр. раствора U_p>U_B при I=I_П; С_УД=С_Д/I_П- -удельная емкость.

Обозначается:

В туннел диодах используется с отриц проводимостью физ действия обусловлены тунелиров. Быстод обусл L Cбар

Эквивалентная схема:

Подразделяются на: 1)переключательные max I_П/I_B; 2)генераторные P=0,12(U_B-U_p)*(I_П-I_В); 3) усилительные max[K_y- ∆f]. Ку-коэф уселения больше с увел отр R delf- полоса проп меньше с увелич емкости Тун.диоды работают в диап-не высоких и сверхвысоких частот.

2. Классификация полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим переходом типа «металл-полупроводник». Схемы включения МДП-транзисторов со встроенным каналом (общий исток, общий сток). Управление по подложке.

Полевые транзисторы это полупроводниковые приборы управление током осуществляется изменением проводимости тока проводящего канала при воздействии электрического поля поперечного направлению тока.

Протекание рабочего тока обусловлено носителями только одного заряда униполярными. Ток в канале в результате дрейфового движения основных н.з. под действием продольного электрического поля.

Электрод от которого уходит заряд называется источником. Электрод принимающий заряд-стоком.Сток и исток имеют одинаковый тип электропроводности. Управл. попереч. на электроде называется затвором.

Классификация.

Два класса полевых транзисторов:1)С затвором на основе электрического перехода (с управляющим переходом)

2)С изолирующим затвором (со структурой Ме, диэлектрик, полупроводник)

Первый класс подразделяет полевые транзисторы с p-n переходом и полевые транзисторы с переходом Ме-п/п.

Второй класс подразделяет: ПТ со встроенным каналом(создается технологическим путем), ПТ с индуцировананным каналом(возникает при подаче на затвор напряжение определяющие аелечины и полярности)

В МДП со встроенным каналом и с ПТ с управляющим переходом канал существует и при отсутствии сигнала на затворе.

Эти транзисторы объединенного типа так как управляются путем понижения толщины канала.

Пллевые транзисторы с управляющим переходом типа «Ме- п/п»

Толщина канала определяется обедненной областью барьера Шоттки.

Толщина канала : (dо-lоб)

Толщину канала можно менять , как отрицательным напряжением на затворе, так и небольшим положительным (менее 0,5 В) напряжением.

Если канал очень тонкий, то lо превышать dо, даже при отсутствие напряжения на затворе. Чтобы открыть такой канал надо падать небольшое положи- тельное напряжение на затвор . Оно уменьшит толщи- ну обедненного слоя и канал приоткроется. Эти тран- зисторы имеют очень короткий канал. Их изготавлив- ают при относительно низких температурах. Что дает возможность получить резкие границы областей и малые размеры электродов.

Высокая подвижность носителей зарядов способствует увеличению быстродействия.

Всё это позволяет создавать Полевые транзисторы Шоттки с частотой до 30 ГГц.

Схемы включения этих транзисторов аналогичны включению полевых транзисторов.