Метод хх т кз. Транзистор черный ящик
__h11, h21-режим кз….для h12,h22-режим хх по входу
экв схема транзистора в h параметрах:
Связь h-параметров с физическими параметрами биполярного транзистора
α=h21
rб диф=h12/h22
rк диф =1/h22
rэ диф=h11-(1-h21)h12/h22
При определении h-параметров удобно работать на низких частотах.Но при работе на высоких частотах из-зи парозит. емкостей
3. Чем отличаются гибридные и совмещенные интегральные схемы?
Чем отличаются гибридные и совмещенные интегральные схемы
Гибридные ИС – интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Навесными элементами в микроэлектронике называют миниатюрные, обычно бескорпусные диоды и транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы.
Совмещенные ИС -интегральные схемы в которых активные элементы выполнены в монолитном блоке ПП материала, а пассивные элементы нанесены в виде тонких плёнок. Отличительной особенностью совмещенных ИС является применение дополнительных резистивных и диэлектрических материалов наряду с кремнием, а также независимость принципа действия тонкоплёночных элементов от кремния, так как вместо изоляции р-п переходом используют более совершенную изоляцию плёнками двуокиси кремния.
Дата добавления: 2015-02-28; просмотров: 956;