С общим стоком
Частотные характеристики.
Индуцированность и что на нее влияет.
I. Емкость на затворе канала
II. Межэлектродная емкость Сзи, Сзс
III. Внешнее сопротивление через которое они перезаряжаются
IV. Скорость движения носителей в канале(им пренебрегают)
схема замещения МДП транзистора.
(РИСУНОК)
Скачек Uзи вызывает изменение электрического поля диэлектрика вблизи источника.Пока это изменение не распространитсяч до стока, Iс остается неизменным время распределения определяется временем заряда,Cзк через сопративление канала.
Если предположить что ток стока растет скачком то Uси и ток во внешней цепибудут рости плавно по мере перезаряда межэлектродных емкостей Cзи, Cзс; скорость их перезаряда зависит от внешнего сопративления.
S(p)=S0/1+pτs
S=S0/1+(jw/w0)
τs=CзкRк
ws=1/τs при которой τ падает в 
раз
ws-частота лежит в пределах 100 МГц-10 ГГц
ws=μ/L^2
чем меньше длинна канала тем больше предельная частота.
МДП с каналом n типалечше чем с каналом p типа тк μn>μp
3. Напишите условие перевода динистора во включенное состояние.
Напишите условие перевода динистора во включенное состояние.
Динисторы представляют собой четырёхслойные полупроводниковые приборы со структурой PNPN. Динистор работает как пара взаимосвязанных транзистора PNP и NPN.
Iкп- ток колекторного перехода
Iкп=α1Ia+α2Ia+Iкбо=Ia, где Ia-анодный ток, Iобратное – обратный ток насыщения, α – коэффицент передачи
Iкбо=Iкбо1+Iкбо2=Iобратное
Ia=Iобр / (1-(α1+α2))
Ia примерно = Iобр ,т.к. α1+α2 <<1
Дата добавления: 2015-02-28; просмотров: 626;