Работа транзисторов в активном режиме.

Основой работы любого транзистора является : 1)малая толщина базы 2)базовая область является всегда более высокоомной(слабо легированной) по сравнению с другими областями.

Iэп значительно меньше чем Iэр. γ=Iэр/(Iэр+Iэп)=Iэр/Iэ. γ->0.95 и выше. База всегда электрически нейтральна.

к(каппа)=Iкр/Iэр. Iэ=Iэп+Iэр. Iэр=Iкр+Iбр. α=Iкр/Iэ. α=γк. Iк=Iкр+Iко=αIэ+Iко. Iко-ток коллекторного перехода. Iб=Iэп+Iбр-Iко. Iэ=Iк+Iб.

Iб=Iэ-Iк=1-αIэ-Iко.

Вывод:принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и на управлении выходным (коллекторным) током за счет входного(эмиттерного) т.е. биполярный транзистор управляется током.

Рассм токи Iко, Iко’ и Iэо, Iэо’ – тепловые токи. В ряде тр-в изм тепл невозможны, т.к. там обратные токи, поэтмоу в справочн указ-ют обр токи, кот > чем Iко, Iко’ и т.д. Обозначение Iкбо, Iэбо означает, что схема с ОБ.

Схема обозначений БТ: