Отсутствует внешнее напряжение.

Naэ>>Nдб; Nак>>Nдб

На рисунке приведена диаграмма для равновесного состояния, Э и К закорочены. База делается более высокоомной по отношению к Э и К. Уровень Ферми находится почти в середине запрещённой зоны. Электроны Б и дырки Э и К находятся в «потенциальных ямах», из которых они могут перейти в соседний слой только при достаточной энергии. В равновесном состоянии соблюдается динамическое равновесие, суммарный ток =0.

1) Подадим на Э прямое смещение, а коллекторный переход замкнут. Потенциальный барьер понижается и начинается инжекция дырок из Э в Б, а встречный потоком электронов пренебрегаем. Инжектированные дырки, пройдя через Б, свободно проходят через коллекторный переход, создавая Iк близкий к Iэ, т.к. рекомбинация невелика. Высота коллекторной зоны увеличена:

Поскольку Uкб=0, Рк=0 и усиление отсутствует.

2) Для выделения мощности включим резистор Rк. Через коллекторный переход начинается инжекция дырок в область Б, т.е. 2 встречных потока направлены навстречу, I суммарный =0. Ширина запр. зоны одинакова.

3) Включим Ек. Обратное смещение коллекторного перехода увеличивает высоту потенциального барьера, можно включать в цепь К резистор без опасения вызвать встречную инжекцию в активном режиме можем получить значительную мощность (усиливать): –Ek+IкRк<0,