Коэффициенты инжекции и переноса носителей заряда, коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Активный режим работы, режим отсечки и насыщения. Инверсное включение.

1. Коэф-ты инжекции и переноса н.з. Коэф-т передачи тока БПТ.

Основой работы любого транзистора является : 1)малая толщина базы 2)базовая область является всегда более высокоомной(слабо легированной) по сравнению с другими областями.

,- показывает , какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера, где I_ЭР – дырочная компонента эмиттерного тока и I_ЭN-электронная компонента эмиттерн тока

- показывает какая часть электронов инжектируемых из эмиттера в базу , достигает коллекторн перехода

Iэп значительно меньше чем Iэр. γ=Iэр/(Iэр+Iэп)=Iэр/Iэ. γ->0.95 и выше. База всегда электрически нейтральна.

к(каппа)=Iкр/Iэр. Iэ=Iэп+Iэр. Iэр=Iкр+Iбр. α=Iкр/Iэ. α=γк. Iк=Iкр+Iко=αIэ+Iко. Iко-ток коллекторного перехода. Iб=Iэп+Iбр-Iко. Iэ=Iк+Iб.

Iб=Iэ-Iк=1-αIэ-Iко.

Вывод:принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и на управлении выходным (коллекторным) током за счет входного(эмиттерного) т.е. биполярный транзистор управляется током.

Рассмотрим активный режим (А):

Uкб<0

Iко = Iкбо (тепл ток примерно = обр току)

С учетом этих усл формулы имеют вид:

(3.18)

(3.19)

Коллекторное U не влияет на токи,=>, выходные хар-ки явл эквидистантными (расп на один раст)

Рассмотрим режим насыщения (Н):

Хар-ся Iк за счет встречной инжекции НЗ со стороны К в Б. Эти дырки компенс дырки, инжект из эмит в базу, пока не до нуля.

Область насыщения – второй квадрант, т.к. Uкб=Uвнеш + . Если Uвнеш=0, дырки все еще переходят. Когда

Uвнеш = - , т.е. скомп. при изм на «+» знака Uкб.

Рассмотрим режим отсечки (О):

Оба перехода в обр направлении

Iэ = 0 Iк = Iкб: ток коллектора и его хар-ки = ВАХ p-n перехода

В этом режиме сопр-ия очень велики, а токи – малы.

Входная ВАХ:

С Uкб хар-ка, засчет ЭМТБ т.е. I смещается