БИЛЕТ № 13 13,36

1. Явление модуляции толщины базы в биполярном транзисторе. Схемы включения транзистора.

Модуляция:при приложении к электронно дырочному переходу напряжения его ширина изменяется т.к. эмиттерн перход смещен в прямом направлении, т.о. изменение ширины невелико при приложении U обр. ширина коллекторного перехода немного увеливается

1 – Линия изб распр конц дырок

Приклад U – происх модул

При неизм входн напряж меняется угол наклона линии или меняется вел-на . Сущ-ет внутр связь по U. Меняется Iк, т.к. он опр-ся коэф диффузии и градиентом

- коэфф

rкб~ (0,1 - 1)*10^6 Ом