Технология изготовления гибридных интегральных схем. Толстопленочные и тонкопленочные ГИС. Пассивные элементы гибридных ИС. Металлизация.
1) получение плёнок
2) монтаж активных навесных элементов.
1) толстоплёночные получают путём нанесения на подложку специальных стеклоэмалей(пасты). В зависимости от назначения эти пасты могут быть резистивные, проводящие(для проводников и обкладок конденсаторов), диэлектрические(для диэлектриков конденсаторов и общей защиты поверхности).
Достоинства:
1.простота технологии, дешевизна.
2.более мощные интегральные схемы.
3.возможность получения резисторов больших номиналов.
4.хорошие возможности массового производства.
Недостатки:
1.сложность получения больших ёмкостей.
2.большой разброс параметров.
3.малая плотность упаковки.
Пасту наносят на подложку; втирание.
2)тонкоплёночные создаются:
1.термическое вакуумное напыление.
Недостаток: контроль времени и температуры.
2.распыление ионной бомбардировкой(создаётся газовый разряд, который выбивает ионы и атомы из вещества, которое затем осаждаются на поверхность).
3.химическое осаждение из газовой среды. Преимущество: высокая плотность упаковки, хорошая совместимость с другими технологическими процессами, малый разброс параметров.
Пассивные элементы ГИС.
Их не нужно изолировать друг от другатк они все выполняются на диэлектрической подложке,тк подложка толстая 0,5мм расстояние между этими элементами больше.
Рассмотрим пленочные ризисторы
В качестве резестивного слоя с высоким сопративлением, а так же используя материалы керметыкоторые состоят из частиц Ме и диэлектрик. Например хром и SiO2
Пленочные резисторы- диапазон шире,чем у п/параметры более прецезионные возможна крреляция параметров
Металлизация
Все элементы ГИС соединяют тонкими пленочными проводниками
1. Предварительно в слое SiO2 покрывающую поверхность пластины вытравляются контакты
2. Проводящую пленку Al наносят на всю поверхность
3. Ее травят через маску,что бы получилась требуемое рис.межсоединение
(РИСУНОК)
В ГИС недостаточно одного слоя, так как невозможно осуществить обмотку без соединений.Созд. 2-3 слояпроводников, разделение диэлектриеом.В этом случае делаются отверстия для проводников.
3. Электроды биполярного транзистора, работающего в активном режиме, обозначены А,В,С. Токи в электродах имеют следующие значения:Ia=1mA, Ib= 20мкА, Ic= 1,02∙10 
А. Iko=0. Определить: а) каким электродам транзистора соответствуют A,B,C; б) коэффициент передачи базового тока.
Электроды биполярного транзистора, работающего в активном режиме, обозначены А,В,С. Токи в электродах имеют следующие значения:Ia=1mA, Ib= 20мкА, Ic= 1,02∙10 А. Iko=0. Определить: а) каким электродам транзистора соответствуют A,B,C; б) коэффициент передачи базового тока.
Билет 14.1.Мат. модель транзистора. (Схема Эберса-Мола).
- идеализированный тр-р, т.е. :1) сопротивление Э, К, Б-х слоев =0; 2) пренебрегаем эффектом модуляции толщины базы; 3) пренебрегаем емкостями перехода.
αI αN –характеризуют нормальное и инверсное вкдючение.
Если Э переход открыт, то через него протекает I1 , а в К- ток несколько меньший ( засчёт рекомбинации). Он обеспечивается генератором тока 
I1 и I2 отражают процесс инжекции, а 
и 
отражают процесс собирания.
Рассмотрим (1) и (2) и опр-м токи, являющиеся статической характеристикой транзистора.
а)
б)
в)
Ф-ла Эберса-Мола: а) б) в)
αNIЭ0 = αI IR0
Дата добавления: 2015-02-28; просмотров: 3050;