Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером. Выходные вольтамперные характеристики. Основные уравнения и параметры.
Схема транзистора с ОЭ:
Основным отличием характеристик транзистора с ОЭ по отношению к характеристикам транзистора с ОБ является то, что они начинаются в точке 0. 
При Uкб=Uэб переход открыт, что вызывает инжекцию дырок из коллектора в базу. Эти потоки компенсируют друг друга, суммарный ток =0. По мере возрастания Uкб инжекция дырок из коллектора уменшается, Iк увеличивается. Поскольку в схеме с ОЭ задается Iб, то вместо α вводится β (коэффициент передачи Iб):
- коэффициент передачи базового тока.
- дифференциальное сопротивление коллекторного перехода в схеме с ОЭ.
α~0,95-0,98 (усиления нет), β~10^1 до 10^2, следовательно, в схеме с общим Э происходит усиление тока, rk* в (1+β) раз меньше, чем в схеме с ОБ и составляет ~10^4 Oм. Iкэо больше в (1+β) раз, чем в ОБ, поэтому наклон линий круче (тепловой ток больше).
Uкб >> Uэб → Uкб ~ Uкэ:
. При увеличении температуры характеристики смещаются вверх сильнее, чем с ОБ.
2. Технологические процессы изготовления интегральных схем. Эпитаксия. Легирование (диффузионное и ионное). Травление. Литография.
1)Эпитаксия-процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой подложки. Эти эпитаксиальные слои используются для получения рабочих слоёв однородного проводника. Эпитаксия позволяет выращивать слои любого типа электропроводности с любым типом удельного сопротивления на подложку любого типа электропроводности и любого удельного сопротивления.rэ¹rп или rэ=rп.
Толщина эпитаксиального слоя равна 1-10мкм.
2).Легирование-операция введения необходимых примесей в монокристалл(исходную пластину или эпитаксиальный слой). 2 вида легирования: диффузионное; ионное.
Диффузионное легирование: осуществляется путём диффузии примесей при высокой температуре. При неоднократной диффузии растворимость должна быть больше растворимости акцепторной примеси, иначе электропроводность не изменится. Растворимость примесей-ограниченная величина. , глубина проникновения составляет 0-1,5 мкм
Ионное легирование(имплантация) - осуществляется путём бомбордировки ионами примесей полупроводника, глубина проникновения зависит от энергии ионов и обычно составляет 0,1-0,5мкм.
3)Травление - операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубину. Травление: изотропное, анизотропное, селективное.
При изотропном травление поверхности идёт с одинаковой скоростью по всем кристаллографическим направлениям.
Анизотропное травление-с не одинаковой скоростью, по различным кристаллографическим направлениям. Применяется в частности при создании разделителей каналов, служащих для диэлектрической изоляции.
Селективное травление-для удаления выступов и других дефектов полупроводниковой пластины.
4) Литография - процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла. Литография основана на использовании специальных соединений резисторов, которые изменяют свои свойства под воздействием света(УФ), рентгеновского излучения или потока электронов.
3. Чем ограничивается верхний и нижний температурный предел работы диодов?
Верхний предел опред-ся ухудшением выпрямительных св-в из-за роста тока ввиду термогенерации Н.З. При больших температурах уменьшается подвижность=> R базы увеличивается и прямое падение напряж-я увеличивается.
Верхний предел зависит от З.З.(от 70 град(Ge) до 200(GaAr))
Нижний предел опред-ся (-60 град): 1)различием температурных коэфф расширения Эл-тов конструкции диода,приводящим к повреждениям; 2)Энергией ионизации примесей; 3)увеличение прямого падения напряжения из-за увеличения высоты потенц барьера
Дата добавления: 2015-02-28; просмотров: 1150;