БИЛЕТ № 17 19,40

1. Малосигнальная модель транзистора в схеме с общей базой. Схема замещения в физических параметрах.

Малосигнальная модель транзистора с ОБ:

μэкUкб определяет напряжение внутренней обратной связи, которая обусловлена эффектом модуляции толщины базы. μ ≈ 10^(-4)-10^(-5). Источник тока α_NIэ учитывает транзитную составляющую Iэ в сторону коллектора.

Сэб, Скб – эквивалентные емкости, учитывающие барьерные и диф. составляющие переходов 10-100 пФ.

α- диф коэф передачи Iэ:

,

Величины α при НЧ – const, если возрастает f (ВЧ), то значение α падает за счет фазового сдвига между Iэ, Iк и Iб.

Для хар-ки частотных свойств используется коэф-т f_{α –} граничная частота (такая частота, при которой |α| падает в раз.Iб=(1- α)Iэ