Технологические процессы изготовления активных и пассивных элементов полупроводниковых(и гибридных) интегральных схем.

1)Групповой метод изготовления.

Заключается в том, что на одной пластине одновременно изготавливается большое количество элементов. Одновременно изготавливается 10-100 таких пластин.

2)Эпитаксия-процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой подложки. Эпитаксия позволяет выращивать слои любого типа электропроводности с любым типом удельного сопротивления на подложку любого типа электропроводности и любого удельного сопротивления.r_э¹r_п или r_э=r_п.

3)Легирование-операция введения необходимых примесей в монокристалл(исходную пластину или эпитаксиальный слой).

4) Литография - процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла.

5)Планарная технология изготовления.

Технологический процесс, в котором все элементы создаются через одну(рабочую) плоскость. Если в этой плоскости вводить различные виды примесей, то получим различные полупроводниковые структуры. Все контакты между элементами и внешние выводы находятся в одной плоскости. Это обеспечивает соединение элементов. Существуют 3-х мерные интегральные схемы, в них выводы находятся в разных плоскостях.