Диффузия и однородность кристалла
К выступающим частям кристалла — вершинам и ребрам — вещество поступает в большем, чем к серединам граней, количестве, поэтому градиенты концентрации (пересыщения) возникают и вдоль поверхности. Пока размеры кристалла невелики, малы и градиенты пересыщений, кристалл обычно растет плоскогранным. Причина этого заключается в том, что слои роста имеют повышенные скорости продвижения по поверхности по сравнению со скоростью возникновения новых слоев (§ 1.5). Однако с увеличением кристалла градиенты пересыщений вдоль грани нарастают. Теперь уже могут возникнуть условия, при которых вновь возникший слой не успеет распространиться по всей грани, приреберные участки обгонят в своем росте центральные участки грани, в ней возникнет углубление (рис. 1-21).При росте кристалла до некоторых размеров оно периодически перекрывается слоем вновь нарастающего вещества, так что в кристалле образуется серия уплощенных включений раствора, расположенных друг под другом. Может образоваться и одиночное включение раствора. Такие включения, занимающие сравнительно большую площадь, будем называть «площадными».
Неравномерность диффузии может приводить к тому, что слои по поверхности кристалла также будут распространяться неравномерно и иметь в результате извилистые торцы (такая форма ступеней возникает иногда и по другой причине — см. рис. 1-25). За впадинами торцов в кристалле тогда будут оставаться мелкие — «точечные» («цепочечные») включения раствора. По мере дальнейшего увеличения размера кристалла продолжают увеличиваться градиенты пересыщений вдоль грани, и наступает такой момент, когда захоронения включений не происходит, в кристалле образуется воронка (рис. 1-21). Кристалл с воронками-провалами в гранях называется «реберным скелетом». При нарастании неравномерности пересыщения происходит разрыв и ребер — кристалл превращается в «вершинный скелет» (рис. 1-22). Подчеркнем, что скелетный кристалл имеет единую непрерывную кристаллическую структуру в любом своем участке в отличие от дендрита (§ 1.8).
Из сказанного понятно, почему включения раствора возникают в первую очередь в пирамидах роста быстрорастущих граней.
Последовательные стадии роста кристалла зафиксированы киносъемкой (интервал между кадрами 2 мин). Штрихами показана граница между пирамидами роста. Наложивишеся друг на друга контуры включения в пирамиде роста грани (021) — изменения в форме и размерах одного и того же включения в процессе роста. Размер кристалла около 1,5 мм, температура опыта 72° С, переохлаждение раствора 0,75° С. Рост в режиме свободной конвекции, в водном растворе, головкой вниз.
Например, на рис. 1-21противоположные грани одного и того же пинакоида (010) растут с разной скоростью; включения раствора имеются в грани с большей скоростью роста (слева).
Иногда образованию включений раствора или скелетному росту предшествует также образование толстых, различимых невооруженным глазом слоев. Серия таких толстых слоев может привести к ступенчатости грани. Ступенчатость, образованная прямолинейными ступенями, бывает довольно сложной по профилю (односторонней, двусторонней и т. д.) и называется в данном случае диффузионной штриховкой.
Включения раствора, скелетный рост, толстые слои на гранях и диффузионная штриховка — признаки заметного диффузионного влияния среды.
Чем больше пересыщение, тем при меньших размерах кристаллов происходят переходы к скелетным формам. В отношении этих явлений разные вещества ведут себя крайне индивидуально. Так, хлористый аммоний (рис. 1-22) растет таким практически при любых, даже самых малых доступных пересыщениях и очень малых размерах кристалла. В то же время, например, алюмокалиевые квасцы неохотно дают включения раствора и тем более скелетные кристаллы и образуют прекрасные крупные кристаллы в широкой области пересыщений.
•fig? |
В разных диффузионных режимах вероятность
возникновения описанных
особенностей кристаллов
различна. В режиме молекулярной диффузии
только малые пересыщения могут привести к росту полногранных кристаллов ввиду малых скоростей диффузии. В режиме
свободной конвекции
меньше градиенты концентраций вдоль граней из-за конвекционных потоков и из-за того, что скорости диффузии больше. Это позволяет получить однородные кристаллы при существенно больших пересыщениях (скоростях роста), чем в предыдущем режиме. В режиме вынужденной конвекции в связи с повышением скорости течения раствора и уменьшением толщины диффузионного слоя скорости диффузии еще больше, а градиенты пересыщений вдоль грани еще меньше, что дает возможность относительно быстро выращивать крупные однородные кристаллы, получение которых при других режимах затруднительно.
Имеется формула, которая описывает скорость диффузии вещества к грани, расположенной параллельно ламинарному (послойному, упорядоченному) потоку жидкости, в которой находится кристалл [Лыков А. В., 1978 г.]:
где D — уже упоминавшийся коэффициент диффузии; υ — кинематическая вязкость раствора; и — скорость движения раствора относительно кристалла; ∆ с — пересыщение; х — расстояние вдоль грани от переднего ребра, где раствор набегает на кристалл, до точки, для которой производят расчет. Как видно из формулы, скорость диффузии к грани падает при удалении от ребра, встречающего поток. Эта формула описывает ту скорость диффузии, которая имела бы место, если бы кристалл усваивал все поступающее к нему вещество и повсеместно по поверхности кристалла сохранялась бы одинаковая концентрация раствора, равная концентрации насыщения (т. е. если бы был чисто диффузионный лимит скорости роста).
Зная скорость роста грани при данном пересыщении, по этой формуле можно рассчитать, на каком расстоянии от переднего ребра (т. е. при каком приблизительно размере кристалла) скорость диффузии окажется лимитирующей, раствор истощится и на грани возникнет углубление. Или, например, зная скорость роста и размер кристалла, можно рассчитать, при какой скорости движения жидкости исчезнут включения раствора.
Подобную формулу (с несколько отличным числовым коэффициентом при формуле) для анализа процесса образования включений раствора в кристаллах впервые использовал А. Карлсон. Рассчитанная им по указанной формуле скорость движения раствора, обеспечивающая однородность кристаллов КН2Р04 и NH4H2P04, равна 9 см/с. Результат эксперимента, проведенного А. Карлсоном (10— 15 см/с), можно считать удовлетворительным. В дальнейшем систематические исследования в этом направлении [Трейвус Е. Б., 1979] подтвердили возможность указанного подхода к захвату включений раствора в режиме не только вынужденной, но и свободной конвекции. Подчеркнем, что приведенное выше уравнение справедливо только для гладкой грани, параллельной потоку. При появлении у переднего ребра макроскопической ступени можно ожидать возникновения турбулизации (завихрений) раствора за ней, т. е. увеличения перемешивания раствора, и некоторого не предусмотренного в формуле увеличения скорости диффузии. Формула неприменима к тыльным по отношению к потоку граням кристалла. Около этих граней легко образуется застойная зона раствора, и в них наиболее часто возникают включения. Так, при вращении кристалла застойная зона образуется за передним ребром грани (рис. 1-23), здесь по мере роста кристалла раствор обедняется веществом. Участок грани вблизи застойной зоны оказывается в условиях относительного «голодания». На грани возникает углубление и затем включение. Поэтому при выращивании необходимо располагать кристалл так, чтобы поток в наилучшей степени обтекал кристалл (рис. 1-24).
В одном и том же кристалле включения раствора в пирамидах роста одних граней могут возникать, а в других нет, хотя скорости роста этих граней приблизительно равны и прочие условия роста приблизительно одинаковы. Для объяснения этого явления предлагалось [Петров Т. Г., 1964] учесть особенности состояния раствора вблизи поверхности кристалла.
Поскольку существует упорядоченный слой жидкости на грани, в котором подвижность молекул снижена по сравнению с их подвижностью вдали от кристалла, то коэффициент диффузии кристаллизуемого вещества в этом слое должен быть меньше, чем в объеме раствора. Так как ориентирующее влияние разных граней на раствор в принципе разное, неодинаковым будет и коэффициент диффузии у разных граней в адсорбционном слое.
В этом можно видеть объяснение того, почему для кристаллов азотнокислого калия частоты образования включений раствора в разных пирамидах роста при сходных скоростях их нарастания хорошо согласуются со степенью сходства атомарного рисунка разных граней кристаллов и базисной грани льда [Петров Т. Г., 1964], т. е. включения возникают чаще при большем сходстве рисунков. Сходство рисунков — косвенный признак того, что данная грань обладает большим ориентирующим действием на растворитель.
При повышении температуры скорость межфазной стадии возрастает быстрее, чем скорость диффузии. Таким образом, с повышением температуры должны возрастать диффузионное влияние на рост кристалла, вероятность возникновения включений, скелетного роста, появления толстых слоев на гранях. Тем не менее, частота образования включений, например на некоторых гранях кристаллов нитрата калия, с температурой уменьшается. Для объяснения указанного факта можно привлечь уже изложенные представления о существовании адсорбционного слоя раствора на грани. Поскольку повышение температуры ослабляет химические связи в адсорбционном слое, следствием этого является уменьшение ориентирующего действия поверхности кристалла на раствор, специфическое (зависящее от конкретной грани) уменьшение толщины этого слоя, короче говоря, десольватация грани. Видимо, этот процесс идет с повышением температуры достаточно интенсивно, что и вызывает уменьшение частоты возникновения включений раствора. Другая возможная причина уменьшения частоты возникновения включений может заключаться в так называемом недиффузионном захвате материала, обусловленном тем, что кристалл при росте занимает пространство, часть которого уже была занята веществом, находившимся в растворе и непосредственно использованном на постройку кристалла. Так как с повышением температуры концентрация раствора увеличивается, то увеличивается и часть объема, занятая этим веществом. Соответственно уменьшается и роль объемной диффузии. Роль недиффузионного захвата в уменьшении частоты возникновения включений может быть особенно заметна для нитрата калия, растворимость которого сильно возрастает с температурой.
Отметим, что специфическую десольватацию кристалла, т. е. разупорядочение и утоньшение адсорбционного слоя, следует ожидать, согласно В. Клеберу, и при повышении пересыщения.
Однако в этом случае, видимо, быстрее нарастают градиенты концентраций вдоль граней и потому число включений раствора в кристаллах все-таки с пересыщением возрастает.
На объемную диффузию и диффузию в упорядоченном слое раствора вблизи грани могут оказывать влияние примеси. Увеличение скорости диффузии должно происходить в присутствии частиц, обладающих десольватирующим эффектом, например Н+ и ОН-. Действительно, по нашим данным, скорости роста кристаллов KNO3 в присутствии избытка ионов Н+ или ОН- увеличиваются. Так как это вещество не подвергается гидролизу и указанные ионы, согласно правилу Панета (§ 1.7), не должны заметно адсорбироваться азотнокислым калием, то их воздействие можно объяснить увеличением скорости диффузии как в объеме раствора, так и в адсорбционном слое. Заметим, однако, что во многих случаях ионы Н+ и ОН- обнаруживают десольватирующий эффект только при сравнительно небольшой их концентрации в растворе. При их больших концентрациях нередко преобладают эффекты комплексообразования, что приводит к уменьшению скоростей роста.
Дата добавления: 2016-09-20; просмотров: 1154;